Dans l'industrie de l'électronique et de l'automatisation, l'application deMOSFET(transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est devenu un facteur clé dans l'amélioration des performances des régulateurs électroniques de vitesse (ESR). Cet article explorera le fonctionnement des MOSFET et comment ils jouent un rôle essentiel dans le contrôle électronique de la vitesse.
Le principe de fonctionnement de base du MOSFET :
Un MOSFET est un dispositif semi-conducteur qui active ou désactive le flux de courant électrique grâce au contrôle de la tension. Dans les régulateurs de vitesse électroniques, les MOSFET sont utilisés comme éléments de commutation pour réguler le flux de courant vers le moteur, permettant un contrôle précis de la vitesse du moteur.
Applications des MOSFET dans les régulateurs de vitesse électroniques :
Tirant parti de son excellente vitesse de commutation et de ses capacités efficaces de contrôle du courant, les MOSFET sont largement utilisés dans les régulateurs de vitesse électroniques des circuits PWM (Pulse width Modulation). Cette application garantit que le moteur peut fonctionner de manière stable et efficace dans diverses conditions de charge.
Choisissez le bon MOSFET :
Lors de la conception d'un régulateur de vitesse électronique, le choix du bon MOSFET est crucial. Les paramètres à prendre en compte incluent la tension drain-source maximale (V_DS), le courant de fuite continu maximal (I_D), la vitesse de commutation et les performances thermiques.
Voici les références d'application des MOSFET WINSOK dans les régulateurs de vitesse électroniques :
| Numéro de pièce | Configuration | Taper | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Emballer | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | ||||
| Célibataire | N-Ch | 30 | 50 | 1,5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Célibataire | P-Ch | -30 | -40 | -1,3 | -1,8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Célibataire | N-Ch | 30 | 100 | 1,5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 | DFN5X6-8 | |
| Célibataire | N-Ch | 30 | 120 | 1.2 | 1.7 | 2.5 | 1.9 | 2.5 | 4900 | DFN5X6-8 | |
| Célibataire | N-Ch | 30 | 150 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 1.8 | 2.4 | 3200 | DFN5X6-8 | |
Les numéros de matériel correspondants sont les suivants :
WINSOK WSD3050DN numéro de matériau correspondant: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSMN9R8-30MLC.TO SHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P. NIKO-SEM PE5G6EA.
Numéro de matériau correspondant WINSOK WSD30L40DN : AOS AON7405,AONR21357,AONR7403,AONR21305C. STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA,PE507BA.
WINSOK WSD30100DN56 numéro de matériau correspondant: AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DP,SiDR392DP.STMicroelectronics 5.INFINEON/IR BSC014N03LSG,BSC016N03LSG,BSC014N03MSG,BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.
Numéro de matériau correspondant WINSOK WSD30160DN56 : AOS AON6382,AON6384,AON6404A,AON6548.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C05N.TOSHIBA TPH2R903PL.PANJIT PJQ5426.NIKO-SEM PKE10BB.Potens Semiconductor PDC3902X.
Numéro de matériau correspondant WINSOK WSD30150DN56 : AOS AON6512,AONS32304.Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ5428. NIKO-SEM PKC26BB, PKE24BB.Potens Semiconductor PDC3902X.
Optimiser les performances du régulateur électronique de vitesse :
En optimisant les conditions de fonctionnement et la conception du circuit du MOSFET, les performances du régulateur de vitesse électronique peuvent être encore améliorées. Cela implique d'assurer un refroidissement adéquat, de sélectionner le circuit de commande approprié et de garantir que les autres composants du circuit peuvent également répondre aux exigences de performances.
Heure de publication : 26 octobre 2023
