La technologie de charge rapide, en tant qu’élément essentiel des équipements électroniques modernes, se développe et évolue rapidement.Poussés par le marché de la recharge rapide, des secteurs tels que les smartphones et les véhicules électriques exigent de plus en plus de solutions de recharge rapides et efficaces.L'innovation dans la technologie de charge rapide ne se concentre pas seulement sur l'amélioration de la vitesse de charge, mais met également l'accent sur la sécurité.À l’avenir, la technologie de charge rapide sera combinée avec la charge sans fil et une technologie de batterie plus efficace pour réaliser un saut qualitatif et offrir aux utilisateurs une expérience de charge plus pratique et plus respectueuse de l’environnement.Avec le développement de la technologie et l’expansion du marché, le secteur de la recharge rapide devrait continuer à maintenir une croissance rapide.
Lorsque nous parlons de l'application deMOSFETdans la technologie de charge rapide, il y a en fait plusieurs maux de tête.
Tout d'abord, comme une charge rapide nécessite un courant important, leMOSFETva beaucoup chauffer, et comment gérer cette chaleur devient un gros problème.Ensuite, il y a aussi des défis d’efficacité.Lors d'une commutation rapide, le MOSFET perd facilement une partie de son énergie, ce qui affecte l'efficacité de la charge.De plus, les équipements de charge rapide espèrent être aussi petits que possible, mais cela nécessite que le MOSFET soit petit et également qu'il résolve le problème de chaleur.Étant donné que le MOSFET commute rapidement, il peut interférer avec d'autres équipements électroniques, ce qui constitue également un problème.Enfin, l’environnement de charge rapide impose des exigences élevées en matière de tension et de courant de tenue des MOSFET, ce qui constitue un test de leurs performances.Travailler longtemps dans cet environnement peut également affecter leur durée de vie et leur fiabilité.En bref, bien que le MOSFET soit essentiel pour une charge rapide, il est confronté à de nombreux défis.
WINSOKMOSFET pourra peut-être vous aider à résoudre les problèmes ci-dessus.Les principaux modèles d'application du WINSOK MOSFET en charge rapide sont :
| Numéro d'article | Configuration | Taper | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Emballer | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | ||||
| Célibataire | N-Ch | 30 | 50 | 1,5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Célibataire | P-Ch | -30 | -40 | -1,3 | -1,8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Célibataire | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Célibataire | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Célibataire | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Célibataire | P-Ch | -30 | -13 | -1,2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1,5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Célibataire | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
Les autres numéros de matériel de marque correspondant au WINSOK MOSFET ci-dessus sont :
Les numéros de matériau correspondants du WINSOK MOSFET WSD3050DN sont : AOS AON7318, AON7418, AON7428, AON7440, AON7520, AON7528, AON7544, AON7542.Onsemi, FAIRCHILD NTTFS4939N, NTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSMN9R8-3 0MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Les numéros de matériau correspondants du WINSOK MOSFET WSD30L40DN sont : AOS AON7405, AONR21357, AON7403, AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA, PE507BA.
Les numéros de matériau correspondants du WINSOK MOSFET WSP6020 sont : AOS AO4262E, AO4264E, AO4268.Onsemi, FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904-5.
Les numéros de matériau correspondants du WINSOK MOSFET WSP16N10 sont :AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Les numéros de matériau correspondants du WINSOK MOSFET WSP4435 sont : AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.Onsemi, FAIRCHILD FDS4465BZ, FDS6685.VISHAY Si4. 431CDY.ST Microélectronique STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
Les numéros de matériau correspondants de WINSOK MOSFET WSP4407 sont : AOS AO4407, AO4407A, AOSP21321, AOSP21307.Onsemi, FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6, STS5P3LLH6, STS6P3LLH6, STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Les numéros de matériau correspondants de WINSOK MOSFET WSP4606 sont : AOS AO4606, AO4630, AO4620, AO4924, AO4627, AO4629, AO4616.Onsemi, FAIRCHILD ECH8661, FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.Sinopower SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ÉLECTRONIQUE DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
Les numéros de matériau correspondants du WINSOK MOSFET WSR80N10 sont : AOS AOTF290L.Onsemi, FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G, IPP086N10N3 G.NXP PSMN9R5-100PS.TOSHIBA TK 100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Heure de publication : 28 novembre 2023
