FDC634P Si3443DDV PMDT670UPE MOSFET moyenne et faible puissance
Présentation des produits MOSFET
Sur le FDC634P, la tension BVDSS est de -20 V, le courant ID est de -3,5 A, la résistance interne RDSON est de 80 mΩ.
VISHAY Si3443DDV, la tension BVDSS est de -20 V, le courant ID est de -4 A, la résistance interne RDSON est de 90 mΩ.
La tension BVDSS du NXP PMDT670UPE est de -20 V, le courant ID est de 0,55 A, la résistance interne RDSON est de 850 mΩ.
numéro d'article correspondant
La tension BVDSS du WINSOK WST2011 FET est de -20 V, l'ID actuel est de -3,2 A, la résistance interne RDSON est de 80 mΩ, double canal P et le boîtier est SOT-23-6L.
Domaines d'application MOSFET
MOSFET pour cigarette électronique, MOSFET pour contrôleur, MOSFET pour produits numériques, MOSFET pour petits appareils électroménagers, MOSFET pour l'électronique grand public.
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