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La différence entre le MOSFET à canal N et le MOSFET à canal P ! Vous aider à mieux choisir les fabricants de MOSFET !
Les concepteurs de circuits doivent avoir réfléchi à une question lors du choix des MOSFET : doivent-ils choisir un MOSFET à canal P ou un MOSFET à canal N ? En tant que fabricant, vous devez vouloir que vos produits rivalisent avec ceux d'autres commerçants à des prix inférieurs, et vous...En savoir plus -
Explication détaillée du schéma de principe de fonctionnement du MOSFET | Analyse de la structure interne du FET
Le MOSFET est l'un des composants les plus fondamentaux de l'industrie des semi-conducteurs. Dans les circuits électroniques, le MOSFET est généralement utilisé dans les circuits amplificateurs de puissance ou les circuits d'alimentation à découpage et est largement utilisé. Ci-dessous, OLUKEY vous donnera un...En savoir plus -
Olukey vous explique les paramètres du MOSFET !
En tant que l'un des dispositifs les plus fondamentaux dans le domaine des semi-conducteurs, le MOSFET est largement utilisé dans la conception de circuits intégrés et dans les applications de circuits au niveau des cartes. Alors, que savez-vous des différents paramètres du MOSFET ? En tant que spécialiste des moyennes et basses...En savoir plus -
Olukey : Parlons du rôle du MOSFET dans l'architecture de base de la charge rapide
La structure d'alimentation de base du QC à charge rapide utilise un SSR de rectification synchrone flyback + côté secondaire (secondaire). Pour les convertisseurs flyback, selon la méthode d'échantillonnage par rétroaction, il peut être divisé en : côté primaire (prima...En savoir plus -
Que savez-vous des paramètres MOSFET ? OLUKEY l'analyse pour vous
« MOSFET » est l'abréviation de Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor. Il s'agit d'un dispositif composé de trois matériaux : métal, oxyde (SiO2 ou SiN) et semi-conducteur. Le MOSFET est l'un des dispositifs les plus fondamentaux dans le domaine des semi-conducteurs. ...En savoir plus -
Comment choisir un MOSFET ?
Récemment, lorsque de nombreux clients viennent chez Olukey pour consulter sur les MOSFET, ils se posent la question : comment choisir un MOSFET approprié ? Concernant cette question, Olukey y répondra pour tout le monde. Tout d'abord, nous devons comprendre le principe...En savoir plus -
Principe de fonctionnement du MOSFET en mode d'amélioration du canal N
(1) L'effet de contrôle de vGS sur l'ID et le canal ① Cas de vGS = 0 On peut voir qu'il existe deux jonctions PN dos à dos entre le drain d et la source s du MOSFET en mode amélioration. Lorsque la tension grille-source vGS = 0, même si le...En savoir plus -
La relation entre le packaging MOSFET et les paramètres, comment choisir les FET avec un packaging approprié
①Emballage enfichable : TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92 ; ②Type de montage en surface : TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3 ; Différentes formes d'emballage, l'effet limite correspondant de courant, de tension et de dissipation thermique de MO...En savoir plus -
Que signifient les trois broches G, S et D du MOSFET emballé ?
Il s'agit d'un capteur infrarouge pyroélectrique MOSFET emballé. Le cadre rectangulaire est la fenêtre de détection. La broche G est la borne de terre, la broche D est le drain MOSFET interne et la broche S est la source MOSFET interne. Dans le circuit,...En savoir plus -
L'importance du MOSFET de puissance dans le développement et la conception de cartes mères
Tout d’abord, la disposition du socket CPU est très importante. Il doit y avoir suffisamment d'espace pour installer le ventilateur du processeur. S'il est trop proche du bord de la carte mère, il sera difficile d'installer le radiateur CPU dans certains cas où le...En savoir plus -
Parlez brièvement de la méthode de production d'un dispositif de dissipation thermique MOSFET haute puissance
Plan spécifique : un dispositif de dissipation thermique MOSFET haute puissance, comprenant un boîtier à structure creuse et un circuit imprimé. Le circuit imprimé est disposé dans le boîtier. Un certain nombre de MOSFET côte à côte sont connectés aux deux extrémités du circuit...En savoir plus -
Ensemble FET DFN2X2, arrangement de modèles à canal P unique 20V-40V_WINSOK MOSFET
Boîtier WINSOK MOSFET DFN2X2-6L, FET à canal P unique, tension 20 V-40 V. Les modèles sont résumés comme suit : 1. Modèle : WSD8823DN22 canal P unique -20 V -3,4 A, résistance interne 60 mΩ Modèles correspondants : AOS : AON2403 ON Semi-conducteur : FDM ...En savoir plus
