NTMFS6B14N SiR84DP SiR87ADP BSC19N1NS3G TPH6R3ANL TPH8R8ANH MOSFET DFN5X6-8 canal N

des produits

NTMFS6B14N SiR84DP SiR87ADP BSC19N1NS3G TPH6R3ANL TPH8R8ANH MOSFET DFN5X6-8 canal N

brève description:

Numéro d'article:NTMFS6B14N SiR84DP SiR87ADP BSC19N1NS3G TPH6R3ANL TPH8R8ANH

Canal:Canal N

Emballer:DFN5X6-8


Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Présentation des produits MOSFET

Onsemi NTMFS6B14N

VISHAY SiR84DP SiR87ADP

INFINEON IR BSC19N1NS3G

TOSHIBA TPH6R3ANL TPH8R8ANH

numéro d'article correspondant

La tension BVDSS du WINSOK WSD60N10GDN56 FET est de 100 V, le courant est de 60 A, la résistance est de 8,5 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est DFN5X6-8.

Domaines d'application MOSFET

MOSFET pour cigarettes électroniques, MOSFET de chargement sans fil, MOSFET pour moteurs, MOSFET pour drones, MOSFET pour soins médicaux, chargeurs de voiture MOSFET, contrôleurs MOSFET, produits numériques MOSFET, MOSFET pour petits appareils électroménagers, MOSFET pour l'électronique grand public.


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