WSD100N15DN56G canal N 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

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WSD100N15DN56G canal N 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

brève description :

Numéro de pièce :WSD100N15DN56G

BVDSS :150V

IDENTIFIANT:100A

RDSON:6 mΩ

Canal:Canal N

Emballer:DFN5X6-8


Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Présentation du produit WINSOK MOSFET

La tension du MOSFET WSD100N15DN56G est de 150 V, le courant est de 100 A, la résistance est de 6 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.

Domaines d'application WINSOK MOSFET

Alimentations médicales MOSFET, PD MOSFET, drones MOSFET, cigarettes électroniques MOSFET, gros appareils électroménagers MOSFET et outils électriques MOSFET.

Paramètres MOSFET

Symbole

Paramètre

Notation

Unités

VDS

Tension drain-source

150

V

VGS

Tension grille-source

±20

V

ID

Courant de drain continu, VGS@ 10 V (TC=25℃)

100

A

IDM

Courant de drain pulsé

360

A

EAS

Énergie d'avalanche à impulsion unique

400

mJ

PD

Dissipation totale de puissance...C=25℃)

160

W

RθJA

Résistance thermique, jonction-ambiante

62

℃/W

RθJC

Résistance thermique, boîtier de jonction

0,78

℃/W

TSTG

Plage de température de stockage

-55 à 175

TJ 

Plage de température de jonction de fonctionnement

-55 à 175

 

 

Symbole

Paramètre

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unité

BVDSS 

Tension de claquage drain-source VGS=0V , jeD=250uA

150

---

---

V

RDS(ON)

Résistance statique drain-source2  VGS=10V, jeD=20A

---

9

12

VGS(ème)

Tension de seuil de porte VGS=VDS, JED=250uA

2.0

3.0

4.0

V

IDSS

Courant de fuite drain-source VDS=100 V, VGS=0V ,TJ=25℃

---

---

1

uA

IGSS

Courant de fuite grille-source VGS= ±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Charge totale de porte VDS=50 V, VGS=10V, jeD=20A

---

66

---

nC

Qgs 

Charge porte-source

---

26

---

Qgd 

Charge de vidange de porte

---

18

---

Td(on)

Délai d'activation VDD=50 V,VGS=10V

RG=2Ω,

ID=20A

---

37

---

ns

Tr 

Temps de montée

---

98

---

Td (arrêt)

Délai d'arrêt

---

55

---

Tf 

Temps d'automne

---

20

---

Cest 

Capacité d'entrée VDS=30 V, VGS=0V, f=1MHz --- 5450

---

pF

Coss

Capacité de sortie

---

1730

---

Crss 

Capacité de transfert inverse

---

195

---


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