WSD20100DN56 canal N 20V 90A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD20100DN56 est de 20 V, le courant est de 90 A, la résistance est de 1,6 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
Cigarettes électroniques MOSFET, drones MOSFET, outils électriques MOSFET, pistolets à fascia MOSFET, PD MOSFET, petit électroménager MOSFET.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Semi-conducteur MOSFET PDC394X.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 20 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu1 | 90 | A |
| ID@TC=100℃ | Courant de vidange continu1 | 48 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | 270 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche à impulsion unique3 | 80 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 83 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| RθJA | Résistance thermique Jonction-ambiante1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Résistance thermique Jonction-ambiante1(État stable) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Boîtier de jonction à résistance thermique1 | 1,5 | ℃/W |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Tapez | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 0,5 | 0,68 | 1.0 | V |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 10 V, ID = 20 A. | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 4,5 V, ID = 20 A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 2,5 V, ID = 20 A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 10 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (10 V) | VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 20 A. | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 14 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD = 15 V, VGS = 10 V, RG = 3, ID = 20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 11.7 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 56,4 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 501 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 321 | --- | ||
| IS | Courant de source continu1,5 | VG=VD= 0 V, courant de force | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Tension directe de la diode2 | VGS=0V, EST=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Temps de récupération inversé | SI=20A , di/dt=100A/µs , TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Frais de récupération inversée | --- | 72 | --- | nC |
