WSD2018BDN22 WSD2018ADN22 WSD2018DN22 canal N 12 V 12,3 A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

des produits

WSD2018BDN22 WSD2018ADN22 WSD2018DN22 canal N 12 V 12,3 A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

brève description:

Numéro d'article:WSD2018BDN22 WSD2018ADN22 WSD2018DN22

BVDSS :12V

IDENTIFIANT:12,3A

RDSON:8,6 mΩ

Canal:Canal N

Emballer:DFN2X2-6L


Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Présentation du produit WINSOK MOSFET

La tension du MOSFET WSD2018BDN22 WSD2018ADN22 WSD2018DN22 est de 12 V, le courant est de 12,3 A, la résistance est de 8,6 mΩ, le canal est de canal N et le boîtier est de DFN2X2-6L.

Domaines d'application WINSOK MOSFET

MOSFET électronique automobile, MOSFET de lumière LED, MOSFET audio, MOSFET de produits numériques, MOSFET pour petits appareils électroménagers, MOSFET électronique grand public, MOSFET de carte de protection

WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques

AOS MOSFET AON2406,AON2408.

Potens MOSFET PDEB2310Y.

Paramètres MOSFET

Numéro d'article

Configuration

Taper

VDS

VGS

ID (A)

RDS(ON)(mΩ)

RDS(ON)(mΩ)

Ciss

Emballer

@10V

@6V

@4,5V

@2,5 V

@1,8V

(V)

±(V)

Max.

Typ.

Max.

Typ.

Max.

Typ.

Max.

Typ.

Max.

Typ.

Max.

(pF)

WSD2018BDN22

Célibataire

N-Ch

12

8

12.3

-

-

-

-

8.6

11.5

12

18

-

-

850

DFN2X2-6L

WSD2018ADN22

Célibataire

N-Ch

20

10

11

-

-

-

-

9.5

12

11

14

14.5

18

1177

DFN2X2-6L

WSD2018DN22

Célibataire

N-Ch

20

10

12

-

-

-

-

10

15

13

18

18

30

1800

DFN2X2-6L


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