WSD2090DN56 canal N 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

brève description:

Numéro de modèle:WSD2090DN56

BVDSS :20V

RDSON :2,8 mΩ

IDENTIFIANT:80A

Canal:Canal N

Emballer:DFN5*6-8

Produit estival :La tension du MOSFET WSD2090DN56 est de 20 V, le courant est de 80 A, la résistance est de 2,8 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est DFN5*6-8.

Applications:Cigarettes électroniques, drones, outils électriques, pistolets fascia, PD, petit électroménager, etc.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le WSD2090DN56 est le MOSFET N-Ch à tranchée le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones.Le WSD2090DN56 répond aux exigences RoHS et Green Product. 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.

Caractéristiques

Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de grille très faible, excellente diminution de l'effet CdV/dt, garantie 100 % EAS, dispositif vert disponible

Applications

Interrupteur, système d'alimentation, interrupteur de charge, cigarettes électroniques, drones, outils électriques, pistolets fascia, PD, petits appareils électroménagers, etc.

numéro d'article correspondant

AOSAON6572

Paramètres importants

Notes maximales absolues (TC = 25 ℃, sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Max.	Unités
VDSS	Tension drain-source	20	V
VGSS	Tension grille-source	±12	V
ID@TC=25℃	Courant de vidange continu, VGS @ 10V1	80	A
ID@TC=100℃	Courant de vidange continu, VGS @ 10V1	59	A
IDM	Courant de drainage pulsé note1	360	A
EAS	Énergie d'avalanche pulsée unique note2	110	mJ
PD	Dissipation de puissance	81	W
RθJA	Résistance thermique, jonction au boîtier	65	℃/W
RθJC	Jonction de résistance thermique-Cas 1	4	℃/W
TJ, TSTG	Plage de températures de fonctionnement et de stockage	-55 à +175	℃

Caractéristiques électriques (TJ=25 ℃, sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Tapez	Max.	Unités
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS = 0 V, ID = 250 μA	20	24	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient de température BVDSS	Référence à 25℃, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VDS = VGS, ID = 250 μA	0,50	0,65	1.0	V
RDS(ON)	Résistance statique drain-source	VGS = 4,5 V, ID = 30 A	---	2.8	4.0	mΩ
RDS(ON)	Résistance statique drain-source	VGS = 2,5 V, ID = 20 A	---	4.0	6.0	mΩ
IDSS	Courant de drain de tension de grille nulle	VDS = 20 V, VGS = 0 V	---	---	1	µA
IGSS	Courant de fuite porte-corps	VGS=±10V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHZ	---	3200	---	pF
Coss	Capacité de sortie		---	460	---
Croix	Capacité de transfert inverse		---	446	---
Qg	Charge totale de porte	VGS = 4,5 V, VDS = 10 V, ID = 30 A.	---	11.05	---	nC
Qgs	Charge porte-source		---	1,73	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	3.1	---
tD(on)	Délai d'activation	VGS = 4,5 V, VDS = 10 V, ID = 30ARGEN = 1,8 Ω	---	9.7	---	ns
tr	Temps de montée à la mise sous tension		---	37	---
tD (désactivé)	Délai d'arrêt		---	63	---
tf	Temps de chute d'arrêt		---	52	---
VSD	Tension directe de la diode	EST = 7,6 A, VGS = 0 V	---	---	1.2	V