WSD20L120DN56 canal P-20V-120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

brève description :

Numéro de modèle :WSD20L120DN56

BVDSS :-20V

RDSON :2,1 mΩ

IDENTIFIANT:-120A

Canal:Canal P

Emballer:DFN5*6-8

Produit estival :Le MOSFET WSD20L120DN56 fonctionne à -20 volts et consomme un courant de -120 ampères. Il a une résistance de 2,1 milliohms, un canal P et est livré dans un boîtier DFN5*6-8.

Applications :Cigarettes électroniques, chargeurs sans fil, moteurs, drones, équipements médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs, appareils numériques, petits appareils électroménagers et électronique grand public.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le WSD20L120DN56 est un MOSFET P-Ch très performant avec une structure cellulaire haute densité, offrant un superbe RDSON et une superbe charge de grille pour la plupart des utilisations de convertisseurs abaisseurs synchrones. Le WSD20L120DN56 répond à 100 % aux exigences EAS pour les produits RoHS et respectueux de l'environnement, avec une approbation de fiabilité complète.

Caractéristiques

1, technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire
2, Charge de porte très faible
3, Excellent déclin de l'effet CdV/dt
4, 100 % EAS garanti 5, appareil vert disponible

Applications

Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence pour MB/NB/UMPC/VGA, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, E-cigarette, chargeur sans fil, moteurs, drones, médical, chargeur de voiture, contrôleur, produits numériques, Petits appareils électroménagers, électronique grand public.

numéro d'article correspondant

AOS AON6411, NIKO PK5A7BA

Paramètres importants

Symbole	Paramètre	Notation		Unités
Symbole	Paramètre	10s	État stable	Unités
VDS	Tension drain-source	-20		V
VGS	Tension grille-source	±10		V
ID@TC=25℃	Courant de vidange continu, VGS @ -10V1	-120		A
ID@TC=100℃	Courant de vidange continu, VGS @ -10V1	-69,5		A
ID@TA=25℃	Courant de vidange continu, VGS @ -10V1	-25	-22	A
ID@TA=70℃	Courant de vidange continu, VGS @ -10V1	-24	-18	A
IDM	Courant de drain pulsé2	-340		A
EAS	Énergie d’avalanche à impulsion unique3	300		mJ
IAS	Courant d'avalanche	-36		A
PD@TC=25℃	Dissipation totale de puissance4	130		W
PD @ TA = 25 ℃	Dissipation totale de puissance4	6.8	6.25	W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 150		℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	-55 à 150		℃

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient de température BVDSS	Référence à 25℃, ID=-1mA	---	-0,0212	---	V/℃
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS=-4,5 V, ID=-20A	---	2.1	2.7	mΩ
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2					mΩ
		VGS=-2,5 V, ID=-20A	---	2.8	3.7
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS=VDS, ID=-250uA	-0,4	-0,6	-1,0	V
		VGS=VDS, ID=-250uA
△VGS(e)	Coefficient de température VGS(th)		---	4.8	---	mV/℃
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = -20 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	-1	uA
IDSS	Courant de fuite drain-source					uA
		VDS = -20 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃	---	---	-6
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 20 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance directe	VDS=-5V, ID=-20A	---	100	---	S
Rg	Résistance de porte	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2	5	Ω
Qg	Charge totale de porte (-4,5 V)	VDS = -10 V, VGS = -4,5 V, ID = -20 A.	---	100	---	nC
Qgs	Charge porte-source		---	21	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	32	---
Td(on)	Délai d'activation	VDD=-10 V, VGEN=-4,5 V, RG = 3 Ω ID = -1 A, RL = 0,5 Ω	---	20	---	ns
Tr	Temps de montée		---	50	---
Td (arrêt)	Délai d'arrêt		---	100	---
Tf	Temps d'automne		---	40	---
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = -10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	4950	---	pF
Coss	Capacité de sortie		---	380	---
Croix	Capacité de transfert inverse		---	290	---