WSD20L120DN56 canal P-20V-120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Description générale
Le WSD20L120DN56 est un MOSFET P-Ch très performant avec une structure cellulaire haute densité, offrant un superbe RDSON et une superbe charge de grille pour la plupart des utilisations de convertisseurs abaisseurs synchrones.Le WSD20L120DN56 répond à 100 % aux exigences EAS pour les produits RoHS et respectueux de l'environnement, avec une approbation de fiabilité complète.
Caractéristiques
1, technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire
2, Charge de porte très faible
3, excellente diminution de l'effet CdV/dt
4, 100 % EAS garanti 5, appareil vert disponible
Applications
Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence pour MB/NB/UMPC/VGA, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, E-cigarette, chargeur sans fil, moteurs, drones, médical, chargeur de voiture, contrôleur, produits numériques, Petits appareils électroménagers, électronique grand public.
numéro d'article correspondant
AOS AON6411, NIKO PK5A7BA
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités | |
| 10s | État stable | |||
| VDS | Tension drain-source | -20 | V | |
| VGS | Tension grille-source | ±10 | V | |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 | -120 | A | |
| ID@TC=100℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 | -69,5 | A | |
| ID@TA=25℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 | -25 | -22 | A |
| ID@TA=70℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 | -24 | -18 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | -340 | A | |
| EAS | Énergie d’avalanche à impulsion unique3 | 300 | mJ | |
| IAS | Courant d'avalanche | -36 | A | |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 130 | W | |
| PD @ TA = 25 ℃ | Dissipation totale de puissance4 | 6.8 | 6h25 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ | |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ | |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=-1mA | --- | -0,0212 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=-4,5 V, ID=-20A | --- | 2.1 | 2.7 | mΩ |
| VGS=-2,5 V, ID=-20A | --- | 2.8 | 3.7 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, ID=-250uA | -0,4 | -0,6 | -1,0 | V |
| △VGS(e) | Coefficient de température VGS(th) | --- | 4.8 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = -20 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS = -20 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | -6 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 20 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=-5V, ID=-20A | --- | 100 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | 5 | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (-4,5 V) | VDS = -10 V, VGS = -4,5 V, ID = -20 A. | --- | 100 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 21 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 32 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=-10 V, VGEN=-4,5 V, RG = 3 Ω ID = -1 A, RL = 0,5 Ω | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 50 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 100 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 40 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = -10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 4950 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 380 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 290 | --- |
