WSD30140DN56 canal N 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Description générale
Le WSD30140DN56 est le MOSFET à canal N à tranchée le plus performant avec une densité de cellules très élevée offrant un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones. WSD30140DN56 est conforme aux exigences RoHS et aux produits écologiques, garantie 100 % EAS, fiabilité complète approuvée.
Caractéristiques
Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de grille ultra-faible, excellente atténuation de l'effet CdV/dt, garantie 100 % EAS, dispositifs écologiques disponibles
Applications
Synchronisation du point de charge haute fréquence, convertisseurs abaisseurs, systèmes d'alimentation CC-CC en réseau, applications d'outils électriques, cigarettes électroniques, chargement sans fil, drones, soins médicaux, chargement de voiture, contrôleurs, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public
numéro d'article correspondant
AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. SUR NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. APAP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 30 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de drainage continu, VGS @ 10V1,7 | 85 | A |
| ID@TC=70℃ | Courant de drainage continu, VGS @ 10V1,7 | 65 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | 300 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 50 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 10 V, ID = 20 A. | --- | 1.7 | 2.4 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 15 A | 2.5 | 3.3 | ||||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| Courant de fuite drain-source | VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA | |
| IDSS | VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 5 | ||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 20 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=5V, ID=20A | --- | 90 | --- | S |
| Qg | Charge totale de porte (4,5 V) | VDS = 15 V, VGS = 4,5 V, ID = 20 A. | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω. | --- | 11 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 6 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 38,5 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 3000 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 1280 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 160 | --- |
