WSD30150DN56 canal N 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD30150DN56 est de 30 V, le courant est de 150 A, la résistance est de 1,8 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
E-MOSFET de cigarettes, MOSFET de chargement sans fil, MOSFET de drones, MOSFET de soins médicaux, MOSFET de chargeurs de voiture, contrôleurs MOSFET, MOSFET de produits numériques, MOSFET de petits appareils électroménagers, MOSFET d'électronique grand public.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
AOS MOSFET AON6512, AONS3234.
Onsemi, FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.
MOSFET NXP PSMN1R7-3YL.
TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
NIKO-SEM MOSFET PKC26BB, PKE24BB.
POTENS Semi-conducteur MOSFET PDC392X.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 30 | V |
| VGS | Porte-Source Tension | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V1,7 | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V1,7 | 83 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | 200 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche à impulsion unique3 | 125 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 62,5 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficient de température | Référence au 25℃, JED=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=10V, jeD=20A | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4,5V, jeD=15A | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=250uA | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(ème) | VGS(ème)Coefficient de température | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=24 V, VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24 V, VGS=0V ,TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=5V, jeD=10A | --- | 27 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 0,8 | 1,5 | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (4,5 V) | VDS=15V, VGS=4,5V, jeD=30A | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=15V, VGÉNÉRATION=10 V, RG=6Ω, JED=1A, RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 12 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 69 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 29 | --- | ||
| Cest | Capacité d'entrée | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
| Coss | Capacité de sortie | 560 | 680 | 800 | ||
| Crss | Capacité de transfert inverse | 260 | 320 | 420 |
