WSD30160DN56 canal N 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD30160DN56 est de 30 V, le courant est de 120 A, la résistance est de 1,9 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
MOSFET pour cigarettes électroniques, MOSFET de chargement sans fil, MOSFET pour drones, MOSFET pour soins médicaux, chargeurs de voiture MOSFET, contrôleurs MOSFET, produits numériques MOSFET, petit électroménager MOSFET, électronique grand public MOSFET.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
AOS MOSFET AON6382,AON6384,AON644A,AON6548.
Onsemi, FAIRCHILD MOSFET NTMFS4834N, NTMFS4C5N.
TOSHIBA MOSFET TPH2R93PL.
PANJIT MOSFET PJQ5426.
NIKO-SEM MOSFET PKE1BB.
POTENS Semi-conducteur MOSFET PDC392X.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 30 | V |
| VGS | Porte-Source Tension | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V1,7 | 68 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | 300 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche à impulsion unique3 | 128 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 62,5 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficient de température | Référence au 25℃, JED=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=10V, jeD=20A | --- | 1.9 | 2.5 | mΩ |
| VGS=4,5V, jeD=15A | --- | 2.9 | 3.5 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(ème) | VGS(ème)Coefficient de température | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=24 V, VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24 V, VGS=0V ,TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=5V, jeD=10A | --- | 32 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 0,8 | 1,5 | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (4,5 V) | VDS=15V, VGS=4,5V, jeD=20A | --- | 38 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 10 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 13 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=15V, VGÉNÉRATION=10 V, RG=6Ω, JED=1A, RL=15Ω. | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 23 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 40 | --- | ||
| Cest | Capacité d'entrée | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 1180 | --- | ||
| Crss | Capacité de transfert inverse | --- | 530 | --- |
