WSD3023DN56 N-Ch et P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD3023DN56 Canal N et canal P 30 V/-30 V 14 A/-12 A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET Image de vedette

brève description:

Numéro de modèle:WSD3023DN56

BVDSS :30V/-30V

RDSON :14 mΩ/23 mΩ

IDENTIFIANT:14A/-12A

Canal:N-Ch et P-Channel

Emballer:DFN5*6-8

Produit estival :La tension du MOSFET WSD3023DN56 est de 30 V/-30 V, le courant est de 14 A/-12 A, la résistance est de 14 mΩ/23 mΩ, le canal est N-Ch et P-Channel et le boîtier est DFN5*6-8.

Applications:Drones, moteurs, électronique automobile, gros électroménager.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le WSD3023DN56 est le MOSFET à tranchée N-ch et P-ch le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones.Le WSD3023DN56 répond aux exigences RoHS et Green Product. 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.

Caractéristiques

Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de porte très faible, excellent déclin de l'effet CdV/dt, garantie 100 % EAS, dispositif vert disponible.

Applications

Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence pour MB/NB/UMPC/VGA, système d'alimentation réseau DC-DC, onduleur de rétro-éclairage CCFL, drones, moteurs, électronique automobile, gros appareils électroménagers.

numéro d'article correspondant

PANJIT PJQ5606

Paramètres importants

Symbole	Paramètre	Notation		Unités
Symbole	Paramètre	N-Ch	P-Ch	Unités
VDS	Tension drain-source	30	-30	V
VGS	Tension grille-source	±20	±20	V
ID	Courant de vidange continu, VGS(NP)=10V,Ta=25℃	14*	-12	A
ID	Courant de vidange continu, VGS(NP)=10V,Ta=70℃	7.6	-9,7	A
PDI un	Courant de drainage d'impulsion testé, VGS(NP)=10 V	48	-48	A
EASc	Énergie d'avalanche, impulsion unique, L=0,5 mH	20	20	mJ
IASc	Courant d'avalanche, impulsion unique, L=0,5 mH	9	-9	A
PD	Dissipation de puissance totale, Ta=25℃	5.25	5.25	W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 175	-55 à 175	℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	175	175	℃
RqJAb	Résistance thermique-jonction à l'état ambiant et stable	60	60	℃/W
RqJC	Résistance thermique-jonction au boîtier, état stable	6h25	6h25	℃/W

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
RDS(ON)d	Résistance statique drain-source	VGS=10V, ID=8A	---	14	18,5	mΩ
RDS(ON)d	Résistance statique drain-source	VGS = 4,5 V, ID = 5 A	---	17	25	mΩ
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS = VDS, ID = 250 uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 20 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 20 V, VGS = 0 V, TJ = 85 ℃	---	---	30	uA
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 20 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
Rg	Résistance de porte	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qgé	Charge totale de porte	VDS=15V, VGS=4,5V, IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	Charge porte-source		---	1.0	---
Qgde	Charge de vidange de porte		---	2.8	---
Td(on)e	Délai d'activation	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R.	---	6	---	ns
Tre	Temps de montée		---	8.6	---
Td(off)e	Délai d'arrêt		---	16	---
Tfe	Temps d'automne		---	3.6	---
Cissé	Capacité d'entrée	VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	545	---	pF
Cossé	Capacité de sortie		---	95	---
Crsse	Capacité de transfert inverse		---	55	---