WSD3023DN56 N-Ch et P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Description générale
Le WSD3023DN56 est le MOSFET à tranchée N-ch et P-ch le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones. Le WSD3023DN56 répond aux exigences RoHS et Green Product. 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.
Caractéristiques
Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de porte très faible, excellent déclin de l'effet CdV/dt, garantie 100 % EAS, dispositif vert disponible.
Applications
Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence pour MB/NB/UMPC/VGA, système d'alimentation réseau DC-DC, onduleur de rétro-éclairage CCFL, drones, moteurs, électronique automobile, gros appareils électroménagers.
numéro d'article correspondant
PANJIT PJQ5606
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités | |
| N-Ch | P-Ch | |||
| VDS | Tension drain-source | 30 | -30 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | ±20 | V |
| ID | Courant de vidange continu, VGS(NP)=10V,Ta=25℃ | 14* | -12 | A |
| Courant de vidange continu, VGS(NP)=10V,Ta=70℃ | 7.6 | -9,7 | A | |
| PDI un | Courant de drainage d'impulsion testé, VGS(NP)=10 V | 48 | -48 | A |
| EASc | Énergie d'avalanche, impulsion unique, L=0,5 mH | 20 | 20 | mJ |
| IASc | Courant d'avalanche, impulsion unique, L=0,5 mH | 9 | -9 | A |
| PD | Dissipation de puissance totale, Ta=25℃ | 5.25 | 5.25 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 175 | -55 à 175 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | 175 | 175 | ℃ |
| RqJAb | Résistance thermique-jonction à l'état ambiant et stable | 60 | 60 | ℃/W |
| RqJC | Résistance thermique-jonction au boîtier, état stable | 6.25 | 6.25 | ℃/W |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| RDS(ON)d | Résistance statique drain-source | VGS=10V, ID=8A | --- | 14 | 18,5 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 5 A | --- | 17 | 25 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 1.3 | 1.8 | 2.3 | V |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = 20 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS = 20 V, VGS = 0 V, TJ = 85 ℃ | --- | --- | 30 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 20 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.7 | 3.4 | Ω |
| Qgé | Charge totale de porte | VDS=15V, VGS=4,5V, IDS=8A | --- | 5.2 | --- | nC |
| Qgse | Charge porte-source | --- | 1.0 | --- | ||
| Qgde | Charge de vidange de porte | --- | 2.8 | --- | ||
| Td(on)e | Délai d'activation | VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R. | --- | 6 | --- | ns |
| Tre | Temps de montée | --- | 8.6 | --- | ||
| Td(off)e | Délai d'arrêt | --- | 16 | --- | ||
| Tfe | Temps d'automne | --- | 3.6 | --- | ||
| Cissé | Capacité d'entrée | VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 545 | --- | pF |
| Cossé | Capacité de sortie | --- | 95 | --- | ||
| Crsse | Capacité de transfert inverse | --- | 55 | --- |
