WSD30350DN56G canal N 30V 350A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD30350DN56G est de 30 V, le courant est de 350 A, la résistance est de 1,8 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
MOSFET pour cigarettes électroniques, MOSFET de chargement sans fil, MOSFET pour drones, MOSFET pour soins médicaux, chargeurs de voiture MOSFET, contrôleurs MOSFET, produits numériques MOSFET, petit électroménager MOSFET, électronique grand public MOSFET.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 30 | V |
| VGS | Porte-Source Tension | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu（Silicium Limité）1,7 | 350 | A |
| ID@TC=70℃ | Courant de vidange continu (Silicon Limited）1,7 | 247 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | 600 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche à impulsion unique3 | 1800 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 104 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficient de température | Référence au 25℃, JED=1mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=10V, jeD=20A | --- | 0,48 | 0,62 | mΩ |
| VGS=4,5V, jeD=20A | --- | 0,72 | 0,95 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=250uA | 1.2 | 1,5 | 2.5 | V |
| △VGS(ème) | VGS(ème)Coefficient de température | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=24 V, VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24 V, VGS=0V ,TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=5V, jeD=10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | 1,5 | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (4,5 V) | VDS=15V, VGS=4,5V, jeD=20A | --- | 89 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 37 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 20 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=15V, VGÉNÉRATION=10 V, RG=1Ω, JED=10A | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 34 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 61 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 18 | --- | ||
| Cest | Capacité d'entrée | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 7845 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 4525 | --- | ||
| Crss | Capacité de transfert inverse | --- | 139 | --- |
