WSD30L88DN56 double canal P-30 V-49A DFN5 * 6-8 WINSOK MOSFET

des produits

WSD30L88DN56 double canal P-30 V-49A DFN5 * 6-8 WINSOK MOSFET

brève description:


  • Numéro de modèle:WSD30L88DN56
  • BVDSS :30V
  • RDSON :11,5 mΩ
  • IDENTIFIANT:-49A
  • Canal:Double canal P
  • Emballer:DFN5*6-8
  • Produit estival :La tension du MOSFET WSD30L88DN56 est de -30 V, le courant est de -49 A, la résistance est de 11,5 mΩ, le canal est à double canal P et le boîtier est DFN5*6-8.
  • Applications:E-cigarettes, recharge sans fil, moteurs, drones, soins médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public.
  • Détail du produit

    Application

    Mots clés du produit

    Description générale

    Le WSD30L88DN56 est le MOSFET double P-Ch à tranchée le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseur abaisseur synchrone.Le WSD30L88DN56 répond aux exigences RoHS et Green Product. 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.

    Caractéristiques

    Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de grille très faible, excellente diminution de l'effet CdV/dt, garantie 100 % EAS, dispositif vert disponible.

    Applications

    Synchrone au point de charge haute fréquence, convertisseur Buck pour MB/NB/UMPC/VGA, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, drones, soins médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs, numérique produits, petit électroménager, électronique grand public.

    numéro d'article correspondant

    AOS

    Paramètres importants

    Symbole Paramètre Notation Unités
    VDS Tension drain-source -30 V
    VGS Tension grille-source ±20 V
    ID@TC=25℃ Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 -49 A
    ID@TC=100℃ Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 -23 A
    IDM Courant de drain pulsé2 -120 A
    EAS Énergie d’avalanche à impulsion unique3 68 mJ
    PD@TC=25℃ Dissipation totale de puissance4 40 W
    TSTG Plage de température de stockage -55 à 150
    TJ Plage de température de jonction de fonctionnement -55 à 150

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