WSD30L88DN56 double canal P-30 V-49A DFN5 * 6-8 WINSOK MOSFET
Description générale
Le WSD30L88DN56 est le MOSFET double P-Ch à tranchée le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseur abaisseur synchrone. Le WSD30L88DN56 répond aux exigences RoHS et Green Product. 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.
Caractéristiques
Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de grille très faible, excellente diminution de l'effet CdV/dt, garantie 100 % EAS, appareil vert disponible.
Applications
Synchrone au point de charge haute fréquence, convertisseur Buck pour MB/NB/UMPC/VGA, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, drones, soins médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs, numérique produits, petit électroménager, électronique grand public.
numéro d'article correspondant
AOS
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | -30 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 | -49 | A |
| ID@TC=100℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 | -23 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | -120 | A |
| EAS | Énergie d’avalanche à impulsion unique3 | 68 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 40 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
