WSD40110DN56G canal N 40V 110A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD4080DN56 est de 40 V, le courant est de 85 A, la résistance est de 4,5 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
Petits appareils MOSFET, appareils portables MOSFET, moteurs MOSFET.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Semi-conducteur MOSFET PDC496X.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 40 | V |
| VGS | Porte-Source Tension | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de drain continu, VGS @ 10V1 | 85 | A |
| ID@TC=100℃ | Courant de drain continu, VGS @ 10V1 | 58 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | 100 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche à impulsion unique3 | 110,5 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche | 47 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation de puissance totale4 | 52.1 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| RθJA | Résistance thermique Jonction-Ambiante1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | Boîtier de jonction à résistance thermique1 | 2.4 | ℃/W |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 10 V, ID = 10 A | --- | 4.5 | 6.5 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 5 A | --- | 6.4 | 8.5 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 20 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=10V, ID=5A | --- | 27 | --- | S |
| Qg | Charge totale de porte (4,5 V) | VDS = 20 V, VGS = 4,5 V, ID = 10 A. | --- | 20 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 5.8 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 9.5 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD = 15 V, VGS = 10 V RG = 3,3 Ω ID=1A | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 8.8 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 74 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 2354 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 215 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 175 | --- | ||
| IS | Courant de source continu1,5 | VG=VD= 0 V, courant de force | --- | --- | 70 | A |
| VSD | Tension directe de la diode2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
