WSD40120DN56 canal N 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD40120DN56 est de 40 V, le courant est de 120 A, la résistance est de 1,85 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
MOSFET pour cigarettes électroniques, MOSFET de chargement sans fil, MOSFET pour drones, MOSFET pour soins médicaux, chargeurs de voiture MOSFET, contrôleurs MOSFET, produits numériques MOSFET, petit électroménager MOSFET, électronique grand public MOSFET.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
AOS MOSFET AON6234, AON6232, AON623.Onsemi, FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL. VISHAY MOSFET SiRA52ADP, SiJA52ADP. STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET PH484S. NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Semi-conducteur MOSFET PDC496X.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 40 | V |
| VGS | Porte-Source Tension | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | 400 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche à impulsion unique3 | 240 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 104 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficient de température | Référence au 25℃, JED=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 10 V, jeD=30A | --- | 1,85 | 2.4 | mΩ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 4,5 V, jeD=20A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=250uA | 1,5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(ème) | VGS(ème)Coefficient de température | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=32 V, VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32 V, VGS=0V ,TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=5V, jeD=20A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (10 V) | VDS=20 V, VGS=10V, jeD=10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 15,5 | 18.6 | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=30 V, VGÉNÉRATION=10 V, RG=1Ω, JED=1A,RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 10 | 12 | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 34 | 40 | ||
| Cest | Capacité d'entrée | VDS=20 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 690 | --- | ||
| Crss | Capacité de transfert inverse | --- | 370 | --- |
