WSD4018DN22 canal P -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD4018DN22 est de -40 V, le courant est de -18 A, la résistance est de 26 mΩ, le canal est le canal P et le boîtier est le DFN2X2-6L.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de porte très faible, excellent déclin de l'effet Cdv/dt Dispositif vert disponible, équipement de reconnaissance faciale MOSFET, e-cigarette MOSFET, petits appareils électroménagers MOSFET, chargeur de voiture MOSFET.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
AOS MOSFET AON2409, POTENS MOSFET PDB3909L
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | -40 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V |
| ID@Tc=25℃ | Courant de drain continu, VGS@ -10V1 | -18 | A |
| ID@Tc=70℃ | Courant de drain continu, VGS@ -10V1 | -14,6 | A |
| IDM | Courant de vidange pulsé 300 μS, VGS=-4,5V2 | 54 | A |
| PD@Tc=25℃ | Dissipation totale de puissance3 | 19 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
Caractéristiques électriques (TJ=25 ℃, sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃ , jeD=-1mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=-10V, jeD=-8,0A | --- | 26 | 34 | mΩ |
| VGS=-4,5 V, jeD=-6,0A | --- | 31 | 42 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=-250uA | -1,0 | -1,5 | -3.0 | V |
| △VGS(ème) | VGS(ème)Coefficient de température | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=-40 V, VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-40 V, VGS=0V ,TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS= ±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Charge totale de porte (-4,5 V) | VDS=-20 V, VGS=-10V, jeD=-1,5A | --- | 27 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 2.5 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 6.7 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=-20 V, VGS=-10 V,RG=3Ω , RL=10Ω | --- | 9.8 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 11 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 54 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 7.1 | --- | ||
| Cest | Capacité d'entrée | VDS=-20 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1560 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 116 | --- | ||
| Crss | Capacité de transfert inverse | --- | 97 | --- |
