WSD4076DN56 canal N 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD4076DN56 est de 40 V, le courant est de 76 A, la résistance est de 6,9 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
Petits appareils MOSFET, appareils portables MOSFET, moteurs MOSFET.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG, STL64DN4F7AG, STL64N4F7AG.
PANJIT MOSFET PJQ5442.
POTENS Semi-conducteur MOSFET PDC496X.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 40 | V |
| VGS | Porte-Source Tension | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V | 76 | A |
| ID@TC=100℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V | 33 | A |
| IDM | Courant de drain pulséa | 125 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche à impulsion uniqueb | 31 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche | 31 | A |
| PD@Ta=25℃ | Dissipation de puissance totale | 1.7 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoéfficent de température | Référence au 25℃, JED=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 10 V, jeD=12A | --- | 6.9 | 8.5 | mΩ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 4,5 V, jeD=10A | --- | 10 | 15 | mΩ |
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=250uA | 1,5 | 1.6 | 2.5 | V |
| △VGS(ème) | VGS(ème)Coéfficent de température | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=32 V, VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32 V, VGS=0V ,TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=5V, jeD=20A | --- | 18 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.7 | --- | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (10 V) | VDS=20 V, VGS=4,5V, jeD=12A | --- | 5.8 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 3.0 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 1.2 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=15V, VGÉNÉRATION=10 V, RG=3,3Ω, JED=1A. | --- | 12 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 5.6 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 20 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 11 | --- | ||
| Cest | Capacité d'entrée | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 680 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 185 | --- | ||
| Crss | Capacité de transfert inverse | --- | 38 | --- |
