WSD4098 double canal N 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Description générale
Le WSD4098DN56 est le MOSFET double N-Ch à tranchée le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseur abaisseur synchrone. Le WSD4098DN56 répond aux exigences RoHS et Green Product. 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.
Caractéristiques
Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de grille très faible, excellent déclin de l'effet CdV/dt, 100 % EAS garanti, appareil vert disponible.
Applications
Synchrone au point de charge haute fréquence, convertisseur Buck pour MB/NB/UMPC/VGA, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, drones, soins médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs, numérique produits, petit électroménager, électronique grand public.
numéro d'article correspondant
AOSAON6884
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unité | |
| Notes communes | ||||
| VDSS | Tension drain-source | 40 | V | |
| VGSS | Tension grille-source | ±20 | V | |
| TJ | Température de jonction maximale | 150 | °C | |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | °C | |
| IS | Courant direct continu de la diode | TA=25°C | 11.4 | A |
| ID | Courant de vidange continu | TA=25°C | 22 | A |
| TA=70°C | 22 | |||
| Je DM b | Courant de drainage d'impulsion testé | TA=25°C | 88 | A |
| PD | Dissipation de puissance maximale | T. =25°C | 25 | W |
| TC=70°C | 10 | |||
| RqJL | Jonction de résistance thermique au plomb | État stable | 5 | °C/W |
| RqJA | Résistance thermique-jonction à l'ambiant | à 10 £ | 45 | °C/W |
| État stable b | 90 | |||
| J'AS d | Courant d'avalanche, impulsion unique | L=0,5mH | 28 | A |
| E COMME d | Énergie d'avalanche, impulsion unique | L=0,5mH | 39.2 | mJ |
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Min. | Typ. | Max. | Unité | |
| Caractéristiques statiques | |||||||
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, IDS=250mA | 40 | - | - | V | |
| IDSS | Courant de drain de tension de grille nulle | VDS = 32 V, VGS = 0 V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VDS = VGS, IDS = 250 mA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| IGSS | Courant de fuite de porte | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| RDS(ON)e | Résistance à l'état passant drain-source | VGS=10V, IDS=14A | - | 6.8 | 7.8 | mW | |
| VGS=4,5V, IDS=12A | - | 9.0 | 11 | ||||
| Caractéristiques des diodes | |||||||
| V SD e | Tension directe de la diode | ISD=1A, VGS=0V | - | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Temps de récupération inversé | ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs | - | 23 | - | ns | |
| Qrr | Frais de récupération inversée | - | 13 | - | nC | ||
| Caractéristiques dynamiques f | |||||||
| RG | Résistance de porte | VGS = 0 V, VDS = 0 V, F = 1 MHz | - | 2.5 | - | W | |
| Ciss | Capacité d'entrée | VGS=0V, VDS = 20 V, Fréquence = 1,0 MHz | - | 1370 | 1781 | pF | |
| Coss | Capacité de sortie | - | 317 | - | |||
| Croix | Capacité de transfert inverse | - | 96 | - | |||
| td(ON) | Délai d'activation | VDD = 20 V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W | - | 13.8 | - | ns | |
| tr | Temps de montée à la mise sous tension | - | 8 | - | |||
| td(OFF) | Délai d'arrêt | - | 30 | - | |||
| tf | Arrêt de l'heure de chute | - | 21 | - | |||
| Caractéristiques de charge de grille f | |||||||
| Qg | Charge totale de porte | VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A | - | 23 | 28 | nC | |
| Qg | Charge totale de porte | VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=6A | - | 22 | - | ||
| Qgth | Frais de seuil | - | 2.6 | - | |||
| Qgs | Charge porte-source | - | 4.7 | - | |||
| Qgd | Charge de vidange de porte | - | 3 | - | |||
