WSD4098 double canal N 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

brève description:

Il s'agit d'une banque d'alimentation magnétique sans fil qui reconnaît automatiquement les téléphones Apple et ne nécessite pas d'activation de bouton.Il intègre les protocoles de charge rapide d'entrée et de sortie 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC.Il s'agit d'un produit de banque d'alimentation sans fil compatible avec les convertisseurs synchrones boost/abaisseur de téléphone portable Apple/Samsung, la gestion de la charge de la batterie Li, l'indication numérique de la puissance du tube, la charge magnétique sans fil et d'autres fonctions.

Numéro de modèle:WSD4098

BVDSS :40V

RDSON :7,8 mΩ

IDENTIFIANT:22A

Canal:Double canal N

Emballer:DFN5*6-8

Produit estival :La tension du MOSFET WSD4098 est de 40 V, le courant est de 22 A, la résistance est de 7,8 mΩ, le canal est à double canal N et le boîtier est DFN5*6-8.

Applications:E-cigarettes, recharge sans fil, moteurs, drones, soins médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le WSD4098DN56 est le MOSFET double N-Ch à tranchée le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseur abaisseur synchrone.Le WSD4098DN56 répond aux exigences RoHS et Green Product. 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.

Caractéristiques

Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de grille très faible, excellent déclin de l'effet CdV/dt, 100 % EAS garanti, appareil vert disponible.

Applications

Synchrone au point de charge haute fréquence, convertisseur Buck pour MB/NB/UMPC/VGA, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, drones, soins médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs, numérique produits, petit électroménager, électronique grand public.

numéro d'article correspondant

AOSAON6884

Paramètres importants

Symbole	Paramètre		Notation	Unité
Notes communes
VDSS	Tension drain-source		40	V
VGSS	Tension grille-source		±20	V
TJ	Température de jonction maximale		150	°C
TSTG	Plage de température de stockage		-55 à 150	°C
IS	Courant direct continu de la diode	TA=25°C	11.4	A
ID	Courant de vidange continu	TA=25°C	22	A
ID	Courant de vidange continu			A
		TA=70°C	22
Je DM b	Courant de drainage d'impulsion testé	TA=25°C	88	A
PD	Dissipation de puissance maximale	T. =25°C	25	W
PD	Dissipation de puissance maximale	TC=70°C	10	W
RqJL	Résistance thermique-jonction au plomb	État stable	5	°C/W
RqJA	Résistance thermique-jonction à l'ambiante	à 10 £	45	°C/W
RqJA	Résistance thermique-jonction à l'ambiante	État stable b	90	°C/W
J'AS d	Courant d'avalanche, impulsion unique	L=0,5mH	28	A
E COMME d	Énergie d'avalanche, impulsion unique	L=0,5mH	39.2	mJ

Symbole	Paramètre	Conditions d'essai		Min.	Typ.	Max.	Unité
Caractéristiques statiques
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Courant de drain de tension de grille nulle	VDS = 32 V, VGS = 0 V		-	-	1	mA
IDSS	Courant de drain de tension de grille nulle						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VDS = VGS, IDS = 250 mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Courant de fuite de porte	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
RDS(ON)e	Résistance à l'état passant drain-source	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	mW
RDS(ON)e	Résistance à l'état passant drain-source	VGS=4,5V, IDS=12A		-	9.0	11	mW
Caractéristiques des diodes
V SD e	Tension directe de la diode	ISD=1A, VGS=0V		-	0,75	1.1	V
trr	Temps de récupération inversé	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	Frais de récupération inversée	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	13	-	nC
Caractéristiques dynamiques f
RG	Résistance de porte	VGS = 0 V, VDS = 0 V, F = 1 MHz		-	2.5	-	W
Ciss	Capacité d'entrée	VGS=0V, VDS = 20 V, Fréquence = 1,0 MHz		-	1370	1781	pF
Coss	Capacité de sortie			-	317	-
Croix	Capacité de transfert inverse			-	96	-
td(ON)	Délai d'activation	VDD = 20 V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	Temps de montée à la mise sous tension			-	8	-
td(OFF)	Délai d'arrêt			-	30	-
tf	Arrêt de l'heure de chute			-	21	-
Caractéristiques de charge de grille f
Qg	Charge totale de porte	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Charge totale de porte	VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	Frais de seuil			-	2.6	-
Qgs	Charge porte-source			-	4.7	-
Qgd	Charge de vidange de porte			-	3	-