WSD4280DN22 double canal P -15 V -4,6 A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD4280DN22 est de -15 V, le courant est de -4,6 A, la résistance est de 47 mΩ, le canal est à double canal P et le boîtier est DFN2X2-6L.
Domaines d'application du MOSFET WINSOK
Interrupteur de blocage bidirectionnel ; Applications de conversion DC-DC ; chargement de batterie Li ; MOSFET de cigarette électronique, MOSFET de chargement sans fil, MOSFET de chargement de voiture, MOSFET de contrôleur, MOSFET de produits numériques, MOSFET de petits appareils électroménagers, MOSFET d'électronique grand public.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
MOSFET PANJIT PJQ2815
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | -15 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±8 | V |
| ID@Tc=25℃ | Courant de drain continu, VGS= -4,5V1 | -4,6 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé de 300 μS, (VGS=-4,5V) | -15 | A |
| PD | Déclassement de dissipation de puissance au-dessus de TA = 25°C (Remarque 2) | 1.9 | W |
| TSTG,TJ | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| RθJA | Résistance thermique Jonction-ambiante1 | 65 | ℃/W |
| RθJC | Boîtier de jonction à résistance thermique1 | 50 | ℃/W |
Caractéristiques électriques (TJ=25 ℃, sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=-250uA | -15 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃ , jeD=-1mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=-4,5 V, jeD=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
| VGS=-2,5 V, jeD=-1A | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1,8 V, jeD=-1A | --- | 90 | 150 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=-250uA | -0,4 | -0,62 | -1,2 | V |
| △VGS(ème) | VGS(ème)Coefficient de température | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=-10 V, VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10 V, VGS=0V ,TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS= ± 12 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=-5V, jeD=-1A | --- | 10 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (-4,5 V) | VDS=-10 V, VGS=-4,5 V, jeD=-4,6A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 2.3 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=-10 V,VGS=-4,5 V, RG=1Ω ID=-3,9A, | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 16 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 30 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 10 | --- | ||
| Cest | Capacité d'entrée | VDS=-10 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Capacité de transfert inverse | --- | 96 | --- |
