WSD45N10GDN56 canal N 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD45N10GDN56 est de 100 V, le courant est de 45 A, la résistance est de 14,5 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
MOSFET pour cigarettes électroniques, MOSFET de chargement sans fil, MOSFET pour moteurs, MOSFET pour drones, MOSFET pour soins médicaux, chargeurs de voiture MOSFET, contrôleurs MOSFET, produits numériques MOSFET, MOSFET pour petits appareils électroménagers, MOSFET pour l'électronique grand public.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semi-conducteur MOSFET PDC966X.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 100 | V |
| VGS | Porte-Source Tension | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V | 9.6 | A |
| IDMa | Courant de drain pulsé | 130 | A |
| EASb | Énergie d'avalanche à impulsion unique | 169 | mJ |
| IASb | Courant d'avalanche | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation de puissance totale | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Dissipation de puissance totale | 5.0 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence au 25℃, JED=1mA | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
| RDS(ON)d | Résistance statique drain-source2 | VGS=10V, jeD=26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(ème) | VGS(ème)Coéfficent de température | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=80 V, VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80 V, VGS=0V ,TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
| Rgé | Résistance de porte | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qgé | Charge totale de porte (10 V) | VDS=50 V, VGS=10V, jeD=26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Charge porte-source | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Charge de vidange de porte | --- | 12 | --- | ||
| Td(on)e | Délai d'activation | VDD=30 V, VGÉNÉRATION=10 V, RG=6Ω ID=1A,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Tre | Temps de montée | --- | 9 | 17 | ||
| Td (arrêt)e | Délai d'arrêt | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | Temps d'automne | --- | 22 | 40 | ||
| Cissé | Capacité d'entrée | VDS=30 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cossé | Capacité de sortie | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | Capacité de transfert inverse | --- | 42 | --- |
