WSD6040DN56 canal N 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD6040DN56 est de 60 V, le courant est de 36 A, la résistance est de 14 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
MOSFET pour cigarettes électroniques, MOSFET de chargement sans fil, MOSFET pour moteurs, MOSFET pour drones, MOSFET pour soins médicaux, chargeurs de voiture MOSFET, contrôleurs MOSFET, produits numériques MOSFET, MOSFET pour petits appareils électroménagers, MOSFET pour l'électronique grand public.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semi-conducteur MOSFET PDC6964X.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités | ||
| VDS | Tension drain-source | 60 | V | ||
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V | ||
| ID | Courant de vidange continu | CT=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Courant de vidange continu | TA=25°C | 8.4 | A | |
| TA=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Courant de drain pulsé | CT=25°C | 140 | A | |
| PD | Dissipation de puissance maximale | CT=25°C | 37,8 | W | |
| TC=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Dissipation de puissance maximale | TA=25°C | 2.08 | W | |
| TA=70°C | 1,33 | ||||
| IAS c | Courant d'avalanche, impulsion unique | L=0,5mH | 16 | A | |
| EASc | Énergie d'avalanche à impulsion unique | L=0,5mH | 64 | mJ | |
| IS | Courant direct continu de la diode | CT=25°C | 18 | A | |
| TJ | Température de jonction maximale | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Résistance thermique Jonction à l'ambiante | État stable | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Résistance thermique-jonction au boîtier | État stable | 3.3 | ℃/W | |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité | |
| Statique | |||||||
| V(BR)DSS | Tension de claquage drain-source | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 60 | V | |||
| IDSS | Courant de drain de tension de grille nulle | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Courant de fuite de porte | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ±100 | nA | |||
| Sur les caractéristiques | |||||||
| VGS(TH) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS(activé)d | Résistance à l'état passant drain-source | VGS = 10 V, ID = 25 A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 20 A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Commutation | |||||||
| Qg | Charge totale de porte | VDS=30V VGS=10V ID = 25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Charge acide de porte | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Charge de vidange de porte | 9.6 | nC | ||||
| td (activé) | Délai d'activation | VGEN=10V VDD = 30 V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Temps de montée à la mise sous tension | 9 | ns | ||||
| td (désactivé) | Délai d'arrêt | 58 | ns | ||||
| tf | Arrêt de l'heure de chute | 14 | ns | ||||
| Rg | Résistance aux chocs | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1,5 | Ω | |||
| Dynamique | |||||||
| Ciss | En capacité | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Capacité de sortie | 140 | pF | ||||
| Croix | Capacité de transfert inverse | 100 | pF | ||||
| Caractéristiques des diodes drain-source et valeurs nominales maximales | |||||||
| IS | Courant de source continu | VG=VD=0V, courant de force | 18 | A | |||
| ISM | Courant source pulsé3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Tension directe de la diode | ISD = 20A, VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Temps de récupération inversé | ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Frais de récupération inversée | 33 | nC | ||||
