WSD6060DN56 canal N 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD6060DN56 est de 60 V, le courant est de 65 A, la résistance est de 7,5 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
MOSFET pour cigarettes électroniques, MOSFET de chargement sans fil, MOSFET pour moteurs, MOSFET pour drones, MOSFET pour soins médicaux, chargeurs de voiture MOSFET, contrôleurs MOSFET, produits numériques MOSFET, MOSFET pour petits appareils électroménagers, MOSFET pour l'électronique grand public.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semi-conducteur MOSFET PDC696X.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unité | |
| Notes communes | ||||
| VDSS | Tension drain-source | 60 | V | |
| VGSS | Tension grille-source | ±20 | V | |
| TJ | Température de jonction maximale | 150 | °C | |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | °C | |
| IS | Courant direct continu de la diode | Tc=25°C | 30 | A |
| ID | Courant de vidange continu | Tc=25°C | 65 | A |
| Tc=70°C | 42 | |||
| Je DM b | Courant de drainage d'impulsion testé | Tc=25°C | 250 | A |
| PD | Dissipation de puissance maximale | Tc=25°C | 62,5 | W |
| TC=70°C | 38 | |||
| RqJL | Jonction de résistance thermique au plomb | État stable | 2.1 | °C/W |
| RqJA | Résistance thermique-jonction à l'ambiant | t £ 10s | 45 | °C/W |
| État stableb | 50 | |||
| JE COMME d | Courant d'avalanche, impulsion unique | L=0,5mH | 18 | A |
| E COMME d | Énergie d'avalanche, impulsion unique | L=0,5mH | 81 | mJ |
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Min. | Typ. | Max. | Unité | |
| Caractéristiques statiques | |||||||
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, jeDS=250mA | 60 | - | - | V | |
| IDSS | Courant de drain de tension de grille nulle | VDS=48V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VDS=VGS, JEDS=250mA | 1.2 | 1,5 | 2.5 | V | |
| IGSS | Courant de fuite de porte | VGS= ±20 V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| RDS(ON) 3 | Résistance à l'état passant drain-source | VGS=10V, jeDS=20A | - | 7.5 | 10 | m W | |
| VGS=4,5V, jeDS=15A | - | 10 | 15 | ||||
| Caractéristiques des diodes | |||||||
| VSD | Tension directe de la diode | ISD=1A,VGS=0V | - | 0,75 | 1.2 | V | |
| trr | Temps de récupération inversé | ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs | - | 42 | - | ns | |
| Qrr | Frais de récupération inversée | - | 36 | - | nC | ||
| Caractéristiques dynamiques3,4 | |||||||
| RG | Résistance de porte | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | - | 1,5 | - | W | |
| Cest | Capacité d'entrée | VGS=0V, VDS=30V, F = 1,0 MHz Ω | - | 1340 | - | pF | |
| COSS | Capacité de sortie | - | 270 | - | |||
| Crss | Capacité de transfert inverse | - | 40 | - | |||
| td(ON) | Délai d'activation | VDD = 30 V, IDS = 1 A, VGEN=10V, RG=6Ω. | - | 15 | - | ns | |
| tr | Temps de montée à la mise sous tension | - | 6 | - | |||
| td(OFF) | Délai d'arrêt | - | 33 | - | |||
| tf | Arrêt de l'heure de chute | - | 30 | - | |||
| Caractéristiques de charge de porte 3,4 | |||||||
| Qg | Charge totale de porte | VDS=30V, VGS=4,5V, jeDS=20A | - | 13 | - | nC | |
| Qg | Charge totale de porte | VDS=30 V, VGS=10V, IDS=20A | - | 27 | - | ||
| Qgth | Frais de seuil | - | 4.1 | - | |||
| Qgs | Charge porte-source | - | 5 | - | |||
| Qgd | Charge de vidange de porte | - | 4.2 | - | |||
