WSD60N10GDN56 canal N 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD60N10GDN56 est de 100 V, le courant est de 60 A, la résistance est de 8,5 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
MOSFET pour cigarettes électroniques, MOSFET de chargement sans fil, MOSFET pour moteurs, MOSFET pour drones, MOSFET pour soins médicaux, chargeurs de voiture MOSFET, contrôleurs MOSFET, produits numériques MOSFET, MOSFET pour petits appareils électroménagers, MOSFET pour l'électronique grand public.
Champs d'application MOSFETWINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériaux d'autres marques
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.INFINEON,IR MOSFET BSC19N1NS3G.TOSHIBA MOSFET TPH6R3ANL,TPH8R 8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Semi-conducteur MOSFET PDC92X.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 100 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu | 60 | A |
| PDI | Courant de drain pulsé | 210 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche, impulsion unique | 100 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Dissipation de puissance totale | 125 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=250uA | 100 | --- | --- | V |
| Résistance statique drain-source | VGS = 10 V, ID = 10 A. | --- | 8.5 | 10.0 | mΩ | |
| RDS(ON) | VGS = 4,5 V, ID = 10 A. | --- | 9.5 | 12.0 | mΩ | |
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=80 V, VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS= ±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Charge totale de porte (10 V) | VDS=50 V, VGS=10V, jeD=25A | --- | 49,9 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 12.4 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=50 V, VGS=10 V,RG=2,2Ω, jeD=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 5 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 51,8 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 9 | --- | ||
| Cest | Capacité d'entrée | VDS=50 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 362 | --- | ||
| Crss | Capacité de transfert inverse | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | Courant de source continu | VG=VD= 0 V, courant de force | --- | --- | 60 | A |
| FAI | Courant source pulsé | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | Tension directe de la diode | VGS=0V , jeS=12A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Temps de récupération inversé | SI=12A,dI/dt=100A/µs,TJ=25℃ | --- | 60,4 | --- | nS |
| Qrr | Frais de récupération inversée | --- | 106.1 | --- | nC |
