WSD60N12GDN56 canal N 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD60N12GDN56 est de 120 V, le courant est de 70 A, la résistance est de 10 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
MOSFET pour équipements médicaux, MOSFET pour drones, alimentations PD MOSFET, alimentations LED MOSFET, équipements industriels MOSFET.
Champs d'application MOSFETWINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériaux d'autres marques
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semi-conducteur MOSFET PDC974X.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 120 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu | 70 | A |
| PDI | Courant de drain pulsé | 150 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche, impulsion unique | 53,8 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Dissipation de puissance totale | 140 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=250uA | 120 | --- | --- | V |
| Résistance statique drain-source | VGS = 10 V, ID = 10 A. | --- | 10 | 15 | mΩ | |
| RDS(ON) | VGS = 4,5 V, ID = 10 A. | --- | 18 | 25 | mΩ | |
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=250uA | 1.2 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=80 V, VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS= ±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Charge totale de porte (10 V) | VDS=50 V, VGS=10V, jeD=25A | --- | 33 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 5.6 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 7.2 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=50 V, VGS=10 V, RG=2Ω, jeD=25A | --- | 22 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 10 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 85 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 112 | --- | ||
| Cest | Capacité d'entrée | VDS=50 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2640 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 330 | --- | ||
| Crss | Capacité de transfert inverse | --- | 11 | --- | ||
| IS | Courant de source continu | VG=VD= 0 V, courant de force | --- | --- | 50 | A |
| FAI | Courant source pulsé | --- | --- | 150 | A | |
| VSD | Tension directe de la diode | VGS=0V , jeS=12A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Temps de récupération inversé | SI=25A,dI/dt=100A/µs,TJ=25℃ | --- | 62 | --- | nS |
| Qrr | Frais de récupération inversée | --- | 135 | --- | nC |
