WSD75100DN56 canal N 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD75100DN56 est de 75 V, le courant est de 100 A, la résistance est de 5,3 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
MOSFET pour cigarettes électroniques, MOSFET de chargement sans fil, MOSFET pour drones, MOSFET pour soins médicaux, chargeurs de voiture MOSFET, contrôleurs MOSFET, produits numériques MOSFET, petit électroménager MOSFET, électronique grand public MOSFET.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7NS3G,BSC36NE7NS3G.POTENS Semi-conducteur MOSFET PDC7966X.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 75 | V |
| VGS | Porte-Source Tension | ±25 | V |
| TJ | Température de jonction maximale | 150 | °C |
| ID | Plage de température de stockage | -55 à 150 | °C |
| IS | Courant direct continu de la diode, TC=25°C | 50 | A |
| ID | Courant de drain continu, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Courant de drain continu, VGS=10V,TC=100°C | 73 | A | |
| IDM | Courant de vidange pulsé, TC=25°C | 400 | A |
| PD | Dissipation de puissance maximale, TC=25°C | 155 | W |
| Dissipation de puissance maximale, TC=100°C | 62 | W | |
| RθJA | Résistance thermique-Jonction à l'ambiante,t =10s ̀ | 20 | °C |
| Résistance thermique-jonction à l'ambiant, état stable | 60 | °C | |
| RqJC | Résistance thermique-jonction au boîtier | 0,8 | °C |
| IAS | Courant d'avalanche, impulsion unique, L = 0,5 mH | 30 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche, impulsion unique, L = 0,5 mH | 225 | mJ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoéfficent de température | Référence au 25℃, JED=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 10 V, jeD=25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(ème) | VGS(ème)Coéfficent de température | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=48V, VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V ,TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=5V, jeD=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | 2 | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (10 V) | VDS=20 V, VGS=10V, jeD=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 17 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=30 V, VGÉNÉRATION=10 V, RG=1Ω, JED=1A,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 14 | 26 | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 37 | 67 | ||
| Cest | Capacité d'entrée | VDS=20 V, VGS=0V, f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Capacité de sortie | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Capacité de transfert inverse | 100 | 195 | 250 |
