WSD75N12GDN56 canal N 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD75N12GDN56 est de 120 V, le courant est de 75 A, la résistance est de 6 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
MOSFET pour équipements médicaux, MOSFET pour drones, alimentations PD MOSFET, alimentations LED MOSFET, équipements industriels MOSFET.
Champs d'application MOSFETWINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériaux d'autres marques
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDSS | Tension drain-source | 120 | V |
| VGS | Tension porte-source | ±20 | V |
| ID | 1 Courant de vidange continu (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Courant de vidange continu (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé | 320 | A |
| RAI | Courant d'avalanche à impulsion unique | 40 | A |
| EASa | Énergie d'avalanche à impulsion unique | 240 | mJ |
| PD | Dissipation de puissance | 125 | W |
| TJ，Tstg | Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TL | Température maximale pour le soudage | 260 | ℃ |
| RθJC | Résistance thermique, jonction au boîtier | 1.0 | ℃/W |
| RθJA | Résistance thermique, jonction à l'ambiant | 50 | ℃/W |
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Min. | Typ. | Max. | Unités |
| VDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, DI=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = 120 V, VGS = 0 V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Fuite directe de la porte à la source | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(MD) | Fuite inversée porte à source | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Tension de seuil de porte | VDS = VGS, ID = 250µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ON)1 | Résistance à l'état drain-vers-source | VGS=10V, ID=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Transconductance directe | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Capacité d'entrée | VGS = 0 V VDS = 50 V f =1,0 MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | -- | 429 | -- | pF | |
| Croix | Capacité de transfert inverse | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Résistance de grille | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(ON) | Délai d'activation | ID =20A VDS = 50V VGS = 10 V RG = 5 Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Temps de montée | -- | 11 | -- | ns | |
| td(OFF) | Délai d'arrêt | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Temps d'automne | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Charge totale de porte | VGS = 0 ~ 10 V VDS = 50 VID = 20A | -- | 61,4 | -- | nC |
| Qgs | Charge de source de porte | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Frais de vidange de porte | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Courant direct de diode | CT =25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ISM | Courant d'impulsion de diode | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Tension directe de la diode | IS=6,0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Temps de récupération inversé | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Frais de récupération inversée | -- | 250 | -- | nC |
