WSD80100DN56 canal N 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD80100DN56 est de 80 V, le courant est de 100 A, la résistance est de 6,1 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
MOSFET pour drones, MOSFET pour moteurs, MOSFET pour l'électronique automobile, MOSFET pour les gros appareils électroménagers.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Semi-conducteur MOSFET PDC7966X.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 80 | V |
| VGS | Porte-Source Tension | ±20 | V |
| TJ | Température de jonction maximale | 150 | °C |
| ID | Plage de température de stockage | -55 à 150 | °C |
| ID | Courant de drain continu, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Courant de drain continu, VGS=10V,TC=100°C | 80 | A | |
| IDM | Courant de vidange pulsé, TC=25°C | 380 | A |
| PD | Dissipation de puissance maximale, TC=25°C | 200 | W |
| RqJC | Résistance thermique-jonction au boîtier | 0,8 | °C |
| EAS | Énergie d'avalanche, impulsion unique, L = 0,5 mH | 800 | mJ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoéfficent de température | Référence au 25℃, JED=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 10 V, jeD=40A | --- | 6.1 | 8.5 | mΩ |
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(ème) | VGS(ème)Coéfficent de température | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=48V, VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V ,TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=5V, jeD=20A | 80 | --- | --- | S |
| Qg | Charge totale de porte (10 V) | VDS=30 V, VGS=10V, jeD=30A | --- | 125 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 24 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 30 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=30 V, VGS=10 V, RG=2,5Ω, JED=2A,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 19 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 70 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 30 | --- | ||
| Cest | Capacité d'entrée | VDS=25 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 410 | --- | ||
| Crss | Capacité de transfert inverse | --- | 315 | --- |
