WSD80120DN56 canal N 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD80120DN56 est de 85 V, le courant est de 120 A, la résistance est de 3,7 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
MOSFET de tension médicale, MOSFET d'équipement photographique, MOSFET de drones, MOSFET de contrôle industriel, MOSFET 5G, MOSFET d'électronique automobile.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 85 | V |
| VGS | Porte-Source Tension | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Courant de drain continu, VGS@ 10V | 96 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé..TC=25°C | 384 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche, impulsion unique, L = 0,5 mH | 320 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche, impulsion unique, L = 0,5 mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation de puissance totale | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | Dissipation de puissance totale | 53 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 175 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | 175 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoéfficent de température | Référence au 25℃, JED=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source | VGS=10V, jeD=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(ème) | VGS(ème)Coéfficent de température | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=85V , VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V , VGS=0V ,TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS=±25 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (10 V) | VDS=50 V, VGS=10V, jeD=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 11 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=50 V, VGS=10 V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 18 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 36 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 10 | --- | ||
| Cest | Capacité d'entrée | VDS=40 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 395 | --- | ||
| Crss | Capacité de transfert inverse | --- | 180 | --- |
