WSD80130DN56 canal N 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Présentation du produit WINSOK MOSFET
La tension du MOSFET WSD80130DN56 est de 80 V, le courant est de 130 A, la résistance est de 2,7 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le DFN5X6-8.
Domaines d'application WINSOK MOSFET
MOSFET pour drones, MOSFET pour moteurs, MOSFET médical, MOSFET pour outils électriques, MOSFET ESC.
WINSOK MOSFET correspond aux numéros de matériel d'autres marques
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Paramètres MOSFET
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 80 | V |
| VGS | Porte-Source Tension | ±20 | V |
| TJ | Température de jonction maximale | 150 | °C |
| ID | Plage de température de stockage | -55 à 150 | °C |
| ID | Courant de drain continu, VGS=10V,TC=25°C | 130 | A |
| Courant de drain continu, VGS=10V,TC=70°C | 89 | A | |
| IDM | Courant de vidange pulsé, TC=25°C | 400 | A |
| PD | Dissipation de puissance maximale, TC=25°C | 200 | W |
| RqJC | Résistance thermique-jonction au boîtier | 1,25 | °C |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V , jeD=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoefficient de température | Référence au 25℃, JED=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 10 V, jeD=40A | --- | 2.7 | 3.6 | mΩ |
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, JED=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(ème) | VGS(ème)Coefficient de température | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=48V, VGS=0V ,TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V ,TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Charge totale de porte (10 V) | VDS=30 V, VGS=10V, jeD=30A | --- | 48,6 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 17.5 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 10.4 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=30 V, VGS=10 V, RG=2,5Ω, JED=2A,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 10 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 35 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 12 | --- | ||
| Cest | Capacité d'entrée | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4150 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 471 | --- | ||
| Crss | Capacité de transfert inverse | --- | 20 | --- |
