WSF4022 double canal N 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Description générale
Le WSF4022 est le MOSFET double N-Ch à tranchée le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseur abaisseur synchrone. Le WSF4022 répond aux exigences RoHS et Green Product 100 % EAS garanti avec toutes les fonctions. fiabilité approuvée.
Caractéristiques
Pour ventilateur pré-pilote H-Bridge, contrôle moteur, rectification synchrone, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, alimentations de secours, drones, soins médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public.
Applications
Pour ventilateur pré-pilote H-Bridge, contrôle moteur, rectification synchrone, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, alimentations de secours, drones, soins médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public.
numéro d'article correspondant
AOS
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités | |
| VDS | Tension drain-source | 40 | V | |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V | |
| ID | Courant de vidange (continu) *AC | CT=25°C | 20* | A |
| ID | Courant de vidange (continu) *AC | TC=100°C | 20* | A |
| ID | Courant de vidange (continu) *AC | TA=25°C | 12.2 | A |
| ID | Courant de vidange (continu) *AC | TA=70°C | 10.2 | A |
| IDMa | Courant de drain pulsé | CT=25°C | 80* | A |
| EASb | Énergie d'avalanche à impulsion unique | L=0,5mH | 25 | mJ |
| IASb | Courant d'avalanche | L=0,5mH | 17.8 | A |
| PD | Dissipation de puissance maximale | CT=25°C | 39.4 | W |
| PD | Dissipation de puissance maximale | TC=100°C | 19.7 | W |
| PD | Dissipation de puissance | TA=25°C | 6.4 | W |
| PD | Dissipation de puissance | TA=70°C | 4.2 | W |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | 175 | ℃ | |
| TSTG | Température de fonctionnement/température de stockage | -55~175 | ℃ | |
| RθJAb | Résistance thermique Jonction-Ambiante | État stable c | 60 | ℃/W |
| RθJC | Jonction de résistance thermique au boîtier | 3.8 | ℃/W |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| Statique | ||||||
| V(BR)DSS | Tension de claquage drain-source | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 40 | V | ||
| IDSS | Courant de drain de tension de grille nulle | VDS = 32 V, VGS = 0 V | 1 | µA | ||
| IDSS | Courant de drain de tension de grille nulle | VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C | 30 | µA | ||
| IGSS | Courant de fuite de porte | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ±100 | nA | ||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
| RDS(activé)d | Résistance à l'état passant drain-source | VGS = 10 V, ID = 10 A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4,5 V, ID = 5 A | 18 | 25 | mΩ | |||
| Gardien de la porte | ||||||
| Qg | Charge totale de porte | VDS = 20 V, VGS = 4,5 V, ID = 10 A. | 7.5 | nC | ||
| Qgs | Charge porte-source | 3.24 | nC | |||
| Qgd | Charge de vidange de porte | 2,75 | nC | |||
| Dynamique | ||||||
| Ciss | Capacité d'entrée | VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz | 815 | pF | ||
| Coss | Capacité de sortie | 95 | pF | |||
| Croix | Capacité de transfert inverse | 60 | pF | |||
| td (activé) | Délai d'activation | VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω. | 7.8 | ns | ||
| tr | Temps de montée à la mise sous tension | 6.9 | ns | |||
| td (désactivé) | Délai d'arrêt | 22.4 | ns | |||
| tf | Arrêt de l'heure de chute | 4.8 | ns | |||
| Diode | ||||||
| VSDd | Tension directe de la diode | ISD=1A, VGS=0V | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Capacité d'entrée | IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs | 13 | ns | ||
| Qrr | Capacité de sortie | 8.7 | nC | |||
