WSF6012 canal N&P 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

brève description:

Numéro de modèle:WSF6012

BVDSS :60V/-60V

RDSON :28 mΩ/75 mΩ

IDENTIFIANT:20A/-15A

Canal:Canal N&P

Emballer:TO-252-4L

Produit estival :Le MOSFET WSF6012 a une plage de tension de 60 V et -60 V, peut gérer des courants jusqu'à 20 A et -15 A, a une résistance de 28 mΩ et 75 mΩ, comporte à la fois un canal N&P et est conditionné en TO-252-4L.

Applications:Cigarettes électroniques, chargeurs sans fil, moteurs, alimentations de secours, drones, soins de santé, chargeurs de voiture, contrôleurs, appareils électroniques, appareils électroménagers et biens de consommation.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le MOSFET WSF6012 est un dispositif hautes performances doté d'une conception à haute densité de cellules.Il fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille adaptée à la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones.De plus, il répond aux exigences RoHS et Green Product et est accompagné d'une garantie 100 % EAS pour une fonctionnalité et une fiabilité complètes.

Caractéristiques

Technologie de tranchée avancée avec une densité cellulaire élevée, une charge de grille très faible, un excellent déclin de l'effet CdV/dt, une garantie 100 % EAS et des options de dispositifs respectueuses de l'environnement.

Applications

Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, alimentations de secours, drones, soins de santé, chargeurs de voiture, contrôleurs, appareils numériques, petits appareils ménagers, et l'électronique grand public.

numéro d'article correspondant

AOS AOD603A,

Paramètres importants

Symbole	Paramètre	Notation		Unités
Symbole	Paramètre	Canal N	Canal P	Unités
VDS	Tension drain-source	60	-60	V
VGS	Tension grille-source	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Courant de vidange continu, VGS @ 10V1	20	-15	A
ID @ TC = 70 ℃	Courant de vidange continu, VGS @ 10V1	15	-dix	A
IDM	Courant de drain pulsé2	46	-36	A
EAS	Énergie d’avalanche à impulsion unique3	200	180	mJ
IAS	Courant d'avalanche	59	-50	A
PD@TC=25℃	Dissipation totale de puissance4	34,7	34,7	W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 150	-55 à 150	℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	-55 à 150	-55 à 150	℃

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient de température BVDSS	Référence à 25℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS=10V, ID=8A	---	28	37	mΩ
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS = 4,5 V, ID = 5 A	---	37	45	mΩ
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS = VDS, ID = 250 uA	1	---	2.5	V
△VGS(e)	Coefficient de température VGS(th)	VGS = VDS, ID = 250 uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 48 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 48 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 20 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance directe	VDS=5V, ID=8A	---	21	---	S
Rg	Résistance de porte	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.0	4.5	Ω
Qg	Charge totale de porte (4,5 V)	VDS = 48 V, VGS = 4,5 V, ID = 8 A.	---	12.6	20	nC
Qgs	Charge porte-source		---	3.5	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	6.3	---
Td(on)	Délai d'activation	VDD = 30 V, VGS = 4,5 V, RG = 3,3 Ω, ID = 1 A	---	8	---	ns
Tr	Temps de montée		---	14.2	---
Td (arrêt)	Délai d'arrêt		---	24.6	---
Tf	Temps d'automne		---	4.6	---
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	670	---	pF
Coss	Capacité de sortie		---	70	---
Croix	Capacité de transfert inverse		---	35	---