WSF6012 canal N&P 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Description générale
Le MOSFET WSF6012 est un dispositif hautes performances doté d'une conception à haute densité de cellules. Il fournit un excellent RDSON et une charge de grille adaptée à la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones. De plus, il répond aux exigences RoHS et Green Product et bénéficie d'une garantie 100 % EAS pour une fonctionnalité et une fiabilité complètes.
Caractéristiques
Technologie de tranchée avancée avec une densité cellulaire élevée, une charge de grille très faible, un excellent déclin de l'effet CdV/dt, une garantie 100 % EAS et des options de dispositifs respectueuses de l'environnement.
Applications
Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, alimentations de secours, drones, soins de santé, chargeurs de voiture, contrôleurs, appareils numériques, petits appareils électroménagers, et l'électronique grand public.
numéro d'article correspondant
AOS AOD603A,
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités | |
| Canal N | Canal P | |||
| VDS | Tension drain-source | 60 | -60 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 10V1 | 20 | -15 | A |
| ID@TC=70℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 10V1 | 15 | -10 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | 46 | -36 | A |
| EAS | Énergie d’avalanche à impulsion unique3 | 200 | 180 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche | 59 | -50 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 34,7 | 34,7 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=10V, ID=8A | --- | 28 | 37 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 5 A | --- | 37 | 45 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 1 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(e) | Coefficient de température VGS(th) | --- | -5.24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = 48 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS = 48 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 20 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=5V, ID=8A | --- | 21 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.0 | 4.5 | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (4,5 V) | VDS = 48 V, VGS = 4,5 V, ID = 8 A. | --- | 12.6 | 20 | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 3.5 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 6.3 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD = 30 V, VGS = 4,5 V, RG = 3,3 Ω, ID = 1 A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 14.2 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 24.6 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 4.6 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 670 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 70 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 35 | --- |
