WSF70P02 canal P -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

brève description:

Numéro de modèle:WSF70P02

BVDSS :-20V

RDSON :6,8 mΩ

IDENTIFIANT:-70A

Canal:Canal P

Emballer:TO-252

Produit estival :Le MOSFET WSF70P02 a une tension de -20 V, un courant de -70 A, une résistance de 6,8 mΩ, un canal P et un boîtier TO-252.

Applications:Cigarettes électroniques, chargeurs sans fil, moteurs, alimentations de secours, drones, soins de santé, chargeurs de voiture, contrôleurs, appareils électroniques, appareils électroménagers et biens de consommation.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le MOSFET WSF70P02 est le dispositif à tranchée à canal P le plus performant avec une densité de cellules élevée.Il offre un RDSON et une charge de grille exceptionnels pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones.L'appareil répond aux exigences RoHS et Green Product, est garanti à 100 % EAS et a été approuvé pour sa fiabilité totale.

Caractéristiques

Technologie de tranchée avancée avec une densité cellulaire élevée, une charge de grille extrêmement faible, une excellente réduction de l'effet CdV/dt, une garantie 100 % EAS et des options pour des appareils respectueux de l'environnement.

Applications

Synchrone au point de charge haute fréquence, convertisseur Buck pour MB/NB/UMPC/VGA, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, alimentations de secours, drones, soins médicaux, chargeurs de voiture , contrôleurs, produits numériques, petit électroménager, électronique grand public.

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AOS

Paramètres importants

Symbole	Paramètre	Notation		Unités
		10s	État stable
VDS	Tension drain-source	-20		V
VGS	Tension grille-source	±12		V
ID@TC=25℃	Courant de vidange continu, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100℃	Courant de vidange continu, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	Courant de drain pulsé2	-200		A
EAS	Énergie d’avalanche à impulsion unique3	360		mJ
IAS	Courant d'avalanche	-55,4		A
PD@TC=25℃	Dissipation totale de puissance4	80		W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 150		℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	-55 à 150		℃

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient de température BVDSS	Référence à 25℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS=-4,5 V, ID=-15A	---	6.8	9.0	mΩ
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2					mΩ
		VGS=-2,5 V, ID=-10A	---	8.2	11
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS=VDS, ID=-250uA	-0,4	-0,6	-1,2	V
		VGS=VDS, ID=-250uA
△VGS(e)	Coefficient de température VGS(th)		---	2,94	---	mV/℃
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = -20 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Courant de fuite drain-source					uA
		VDS = -20 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃	---	---	5
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 12 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance directe	VDS=-5V, ID=-10A	---	45	---	S
Qg	Charge totale de porte (-4,5 V)	VDS = -15 V, VGS = -4,5 V, ID = -10 A.	---	63	---	nC
Qgs	Charge porte-source		---	9.1	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	13	---
Td(on)	Délai d'activation	VDD=-10 V, VGS=-4,5 V, RG=3,3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	Temps de montée		---	77	---
Td (arrêt)	Délai d'arrêt		---	195	---
Tf	Temps d'automne		---	186	---
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = -10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	5783	---	pF
Coss	Capacité de sortie		---	520	---
Croix	Capacité de transfert inverse		---	445	---