WSF70P02 canal P -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET
Description générale
Le MOSFET WSF70P02 est le dispositif à tranchée à canal P le plus performant avec une densité de cellules élevée. Il offre un RDSON et une charge de grille exceptionnels pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones. L'appareil répond aux exigences RoHS et Green Product, est garanti à 100 % EAS et a été approuvé pour sa fiabilité totale.
Caractéristiques
Technologie de tranchée avancée avec une densité cellulaire élevée, une charge de grille très faible, une excellente réduction de l'effet CdV/dt, une garantie 100 % EAS et des options pour des appareils respectueux de l'environnement.
Applications
Synchrone au point de charge haute fréquence, convertisseur Buck pour MB/NB/UMPC/VGA, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, alimentations de secours, drones, soins médicaux, chargeurs de voiture , contrôleurs, produits numériques, petit électroménager, électronique grand public.
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AOS
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités | |
| 10s | État stable | |||
| VDS | Tension drain-source | -20 | V | |
| VGS | Tension grille-source | ±12 | V | |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 | -70 | A | |
| ID@TC=100℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 | -36 | A | |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | -200 | A | |
| EAS | Énergie d’avalanche à impulsion unique3 | 360 | mJ | |
| IAS | Courant d'avalanche | -55,4 | A | |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 80 | W | |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ | |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ | |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=-4,5 V, ID=-15A | --- | 6.8 | 9.0 | mΩ |
| VGS=-2,5 V, ID=-10A | --- | 8.2 | 11 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, ID=-250uA | -0,4 | -0,6 | -1,2 | V |
| △VGS(e) | Coefficient de température VGS(th) | --- | 2,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = -20 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS = -20 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 12 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 45 | --- | S |
| Qg | Charge totale de porte (-4,5 V) | VDS = -15 V, VGS = -4,5 V, ID = -10 A. | --- | 63 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 9.1 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 13 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=-10 V, VGS=-4,5 V, RG=3,3Ω, ID=-10A | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 77 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 195 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 186 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = -10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 5783 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 520 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 445 | --- |
