WSM320N04G canal N 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Description générale
Le WSM320N04G est un MOSFET hautes performances qui utilise une conception en tranchée et possède une densité de cellules très élevée. Il possède un excellent RDSON et une excellente charge de grille et convient à la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones. Le WSM320N04G répond aux exigences RoHS et Green Product et est garanti 100 % EAS et une fiabilité complète des fonctions.
Caractéristiques
Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, tout en présentant également une faible charge de grille pour des performances optimales. De plus, il bénéficie d'une excellente diminution de l'effet CdV/dt, d'une garantie 100 % EAS et d'une option respectueuse de l'environnement.
Applications
Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence, système d'alimentation en réseau DC-DC, application d'outils électriques, cigarettes électroniques, chargement sans fil, drones, médical, chargement de voiture, contrôleurs, produits numériques, petits appareils électroménagers et électronique grand public.
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités | |
| VDS | Tension drain-source | 40 | V | |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V | |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 10V1,7 | 320 | A | |
| ID@TC=100℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 10V1,7 | 192 | A | |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | 900 | A | |
| EAS | Énergie d’avalanche à impulsion unique3 | 980 | mJ | |
| IAS | Courant d'avalanche | 70 | A | |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 250 | W | |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 175 | ℃ | |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 175 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=1mA | --- | 0,050 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 10 V, ID = 25 A. | --- | 1.2 | 1,5 | mΩ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 4,5 V, ID = 20 A | --- | 1.7 | 2.5 | mΩ |
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 1.2 | 1.7 | 2.6 | V |
| △VGS(e) | Coefficient de température VGS(th) | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = 40 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS = 40 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 20 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS = 5 V, ID = 50 A | --- | 160 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (10 V) | VDS = 20 V, VGS = 10 V, ID = 25 A. | --- | 130 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 43 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 83 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD = 20 V, VGEN = 4,5 V, RG = 2,7 Ω, ID = 1 A. | --- | 30 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 115 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 80 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 8100 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 1200 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 800 | --- |
