WSM340N10G canal N 100 V 340 A TOLL-8L WINSOK MOSFET

brève description:

Numéro de modèle:WSM340N10G

BVDSS :100V

RDSON :1,6 mΩ

IDENTIFIANT:340A

Canal:Canal N

Emballer:PÉAGE-8L

Produit estival :La tension du MOSFET WSM340N10G est de 100 V, le courant est de 340 A, la résistance est de 1,6 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est TOLL-8L.

Applications:Équipements médicaux, drones, alimentations PD, alimentations LED, équipements industriels, etc.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le WSM340N10G est le MOSFET N-Ch à tranchée le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones.Le WSM340N10G répond aux exigences RoHS et Green Product, 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.

Caractéristiques

Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de porte très faible, excellent déclin de l'effet CdV/dt, garantie 100 % EAS, dispositif vert disponible.

Applications

Rectification synchrone, convertisseur DC/DC, interrupteur de charge, équipement médical, drones, alimentations PD, alimentations LED, équipements industriels, etc.

Paramètres importants

Notes maximales absolues

Symbole	Paramètre	Notation	Unités
VDS	Tension drain-source	100	V
VGS	Tension grille-source	±20	V
ID@TC=25℃	Courant de drainage continu, VGS @ 10 V	340	A
ID@TC=100℃	Courant de drainage continu, VGS @ 10 V	230	A
IDM	Courant de drain pulsé..TC=25°C	1150	A
EAS	Énergie d'avalanche, impulsion unique, L = 0,5 mH	1800	mJ
IAS	Courant d'avalanche, impulsion unique, L = 0,5 mH	120	A
PD@TC=25℃	Dissipation de puissance totale	375	W
PD @ TC = 100 ℃	Dissipation de puissance totale	187	W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 175	℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	175	℃

Caractéristiques électriques (TJ=25℃, sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient de température BVDSS	Référence à 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Résistance statique drain-source	VGS = 10 V, ID = 50 A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS = VDS, ID = 250 uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(e)	Coefficient de température VGS(th)	VGS = VDS, ID = 250 uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 85 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 85 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃	---	---	10	uA
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 25 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
Rg	Résistance de porte	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Charge totale de porte (10 V)	VDS = 50 V, VGS = 10 V, ID = 50 A.	---	260	---	nC
Qgs	Charge porte-source		---	80	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	60	---
Td(on)	Délai d'activation	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Temps de montée		---	50	---
Td (arrêt)	Délai d'arrêt		---	228	---
Tf	Temps d'automne		---	322	---
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = 40 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	13900	---	pF
Coss	Capacité de sortie		---	6160	---
Croix	Capacité de transfert inverse		---	220	---