WSM340N10G canal N 100 V 340 A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Description générale
Le WSM340N10G est le MOSFET N-Ch à tranchée le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones. Le WSM340N10G répond aux exigences RoHS et Green Product, 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.
Caractéristiques
Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de porte très faible, excellent déclin de l'effet CdV/dt, garantie 100 % EAS, dispositif vert disponible.
Applications
Rectification synchrone, convertisseur DC/DC, interrupteur de charge, équipement médical, drones, alimentations PD, alimentations LED, équipements industriels, etc.
Paramètres importants
Notes maximales absolues
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 100 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de drainage continu, VGS @ 10 V | 340 | A |
| ID@TC=100℃ | Courant de drainage continu, VGS @ 10 V | 230 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé..TC=25°C | 1150 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche, impulsion unique, L = 0,5 mH | 1800 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche, impulsion unique, L = 0,5 mH | 120 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance | 375 | W |
| PD @ TC = 100 ℃ | Dissipation totale de puissance | 187 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 175 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | 175 | ℃ |
Caractéristiques électriques (TJ=25℃, sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source | VGS = 10 V, ID = 50 A | --- | 1.6 | 2.3 | mΩ |
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(e) | Coefficient de température VGS(th) | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = 85 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS = 85 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 25 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (10 V) | VDS = 50 V, VGS = 10 V, ID = 50 A. | --- | 260 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 80 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 60 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. | --- | 88 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 50 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 228 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 322 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 40 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 13900 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 6160 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 220 | --- |
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