WSP4016 canal N 40 V 15,5 A SOP-8 WINSOK MOSFET

brève description:

Numéro de modèle:WSP4016

BVDSS :40V

RDSON :11,5 mΩ

IDENTIFIANT:15,5A

Canal:Canal N

Emballer:SOP-8

Produit estival :La tension du MOSFET WSP4016 est de 40 V, le courant est de 15,5 A, la résistance est de 11,5 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est SOP-8.

Applications:Electronique automobile, éclairage LED, audio, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public, panneaux de protection, etc.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le WSP4016 est le MOSFET à tranchée N-ch le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit d'excellentes charges RDSON et de grille pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones.Le WSP4016 répond aux exigences RoHS et Green Product, 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.

Caractéristiques

Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de grille très faible, excellent déclin de l'effet CdV/dt, garantie 100 % EAS, dispositif vert disponible.

Applications

Convertisseurs boost LED blancs, systèmes automobiles, circuits de conversion DC/DC industriels, électronique automobile, lumières LED, audio, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public, panneaux de protection, etc.

numéro d'article correspondant

AO AOSP66406, SUR FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.

Paramètres importants

Symbole	Paramètre	Notation	Unités
VDS	Tension drain-source	40	V
VGS	Tension grille-source	±20	V
ID@TC=25℃	Courant de vidange continu, VGS @ 10V1	15,5	A
ID @ TC = 70 ℃	Courant de vidange continu, VGS @ 10V1	8.4	A
IDM	Courant de drain pulsé2	30	A
PD @ TA = 25 ℃	Dissipation de puissance totale TA=25°C	2.08	W
PD @ TA = 70 ℃	Dissipation de puissance totale TA=70°C	1.3	W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 150	℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	-55 à 150	℃

Caractéristiques électriques (TJ=25 ℃, sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS=10V, ID=7A	---	8.5	11.5	mΩ
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS = 4,5 V, ID = 5 A	---	11	14.5	mΩ
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS = VDS, ID = 250 uA	1.0	1.8	2.5	V
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 32 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 32 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃	---	---	25	uA
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 20 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance directe	VDS=5V, ID=15A	---	31	---	S
Qg	Charge totale de porte (4,5 V)	VDS = 20 V, VGS = 10 V, ID = 7A	---	20	30	nC
Qgs	Charge porte-source		---	3.9	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	3	---
Td(on)	Délai d'activation	VDD = 20 V, VGEN = 10 V, RG = 1 Ω, ID = 1 A, RL = 20 Ω.	---	12.6	---	ns
Tr	Temps de montée		---	10	---
Td (arrêt)	Délai d'arrêt		---	23.6	---
Tf	Temps d'automne		---	6	---
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	1125	---	pF
Coss	Capacité de sortie		---	132	---
Croix	Capacité de transfert inverse		---	70	---