WSP4016 canal N 40 V 15,5 A SOP-8 WINSOK MOSFET
Description générale
Le WSP4016 est le MOSFET à tranchée N-ch le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit d'excellentes charges RDSON et de grille pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones. Le WSP4016 répond aux exigences RoHS et Green Product, 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.
Caractéristiques
Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de grille très faible, excellent déclin de l'effet CdV/dt, garantie 100 % EAS, dispositif vert disponible.
Applications
Convertisseurs boost LED blancs, systèmes automobiles, circuits de conversion DC/DC industriels, électronique automobile, lumières LED, audio, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public, panneaux de protection, etc.
numéro d'article correspondant
AO AOSP66406, SUR FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 40 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 10V1 | 15,5 | A |
| ID@TC=70℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 10V1 | 8.4 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | 30 | A |
| PD @ TA = 25 ℃ | Dissipation de puissance totale TA=25°C | 2.08 | W |
| PD @ TA = 70 ℃ | Dissipation de puissance totale TA=70°C | 1.3 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
Caractéristiques électriques (TJ=25 ℃, sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=10V, ID=7A | --- | 8.5 | 11.5 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 5 A | --- | 11 | 14.5 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 1.0 | 1.8 | 2.5 | V |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = 32 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS = 32 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 25 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 20 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=5V, ID=15A | --- | 31 | --- | S |
| Qg | Charge totale de porte (4,5 V) | VDS = 20 V, VGS = 10 V, ID = 7A | --- | 20 | 30 | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 3.9 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 3 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD = 20 V, VGEN = 10 V, RG = 1 Ω, ID = 1 A, RL = 20 Ω. | --- | 12.6 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 10 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 23.6 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 6 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 1125 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 132 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 70 | --- |
Note :
1. Test d'impulsion : PW<= cycle de service 300us<= 2%.
2. Garanti par la conception, non soumis aux tests de production.
