WSP4088 canal N 40 V 11 A SOP-8 WINSOK MOSFET

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WSP4088 canal N 40 V 11 A SOP-8 WINSOK MOSFET

brève description :


  • Numéro de modèle :WSP4088
  • BVDSS :40V
  • RDSON :13 mΩ
  • IDENTIFIANT:11A
  • Canal:Canal N
  • Emballer:SOP-8
  • Produit estival :La tension du MOSFET WSP4088 est de 40 V, le courant est de 11 A, la résistance est de 13 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est SOP-8.
  • Applications :Cigarettes électroniques, recharge sans fil, moteurs, drones, médical, recharge automobile, contrôleurs, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public, etc.
  • Détail du produit

    Application

    Mots clés du produit

    Description générale

    Le WSP4088 est le MOSFET canal N à tranchée le plus performant avec une densité de cellules très élevée offrant un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones. WSP4088 est conforme aux exigences RoHS et aux produits verts, garantie 100 % EAS, fiabilité complète approuvée.

    Caractéristiques

    Appareils fiables et robustes, sans plomb et écologiques disponibles

    Applications

    Gestion de l'alimentation dans les ordinateurs de bureau ou les convertisseurs DC/DC, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, drones, médical, chargement de voiture, contrôleurs, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public, etc.

    numéro d'article correspondant

    AO AO4884 AO4882, SUR FDS4672A, PANJIT PJL9424, DINTEK DTM4916 etc.

    Paramètres importants

    Valeurs nominales maximales absolues (TA = 25 C, sauf indication contraire)

    Symbole Paramètre   Notation Unité
    Notes communes    
    VDSS Tension drain-source   40 V
    VGSS Tension grille-source   ±20
    TJ Température de jonction maximale   150 °C
    TSTG Plage de température de stockage   -55 à 150
    IS Courant direct continu de la diode TA=25°C 2 A
    ID Courant de vidange continu TA=25°C 11 A
    TA=70°C 8.4
    IDM un Courant de drain pulsé TA=25°C 30
    PD Dissipation de puissance maximale TA=25°C 2.08 W
    TA=70°C 1.3
    RqJA Résistance thermique-jonction à l'ambiant à 10 £ 30 °C/W
    État stable 60
    RqJL Jonction de résistance thermique au plomb État stable 20
    IASb Courant d'avalanche, impulsion unique L=0,1mH 23 A
    EASb Énergie d'avalanche, impulsion unique L=0,1mH 26 mJ

    Notez un :Max. le courant est limité par le fil de liaison.
    Remarque B :Testé par l'ISU et largeur d'impulsion limitée par une température de jonction maximale de 150 °C (température initiale Tj = 25 °C).

    Caractéristiques électriques (TA = 25 C, sauf indication contraire)

    Symbole Paramètre Conditions d'essai Min. Typ. Max. Unité
    Caractéristiques statiques
    BVDSS Tension de claquage drain-source VGS=0V, IDS=250mA 40 - - V
    IDSS Courant de drain de tension de grille nulle VDS = 32 V, VGS = 0 V - - 1 mA
    TJ=85°C - - 30
    VGS(ème) Tension de seuil de porte VDS = VGS, IDS = 250 mA 1,5 1.8 2.5 V
    IGSS Courant de fuite de porte VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
    RDS(ON)c Résistance à l'état passant drain-source VGS=10V, IDS=7A - 10.5 13 mW
    TJ=125°C - 15h75 -
    VGS = 4,5 V, IDS = 5 A - 12 16
    Gfs Transconductance directe VDS=5V, IDS=15A - 31 - S
    Caractéristiques des diodes
    VSDc Tension directe de la diode ISD=10A, VGS=0V - 0,9 1.1 V
    trr Temps de récupération inversé VDD = 20 V, ISD = 10 A, dlSD/dt = 100 A/ms - 15.2 - ns
    ta Temps de chargement - 9.4 -
    tb Temps de décharge - 5.8 -
    Qrr Frais de récupération inversée - 9.5 - nC
    Caractéristiques dynamiques d
    RG Résistance de porte VGS = 0 V, VDS = 0 V, F = 1 MHz 0,7 1.1 1.8 W
    Ciss Capacité d'entrée VGS = 0 V, VDS = 20 V, fréquence = 1,0 MHz - 1125 - pF
    Coss Capacité de sortie - 132 -
    Croix Capacité de transfert inverse - 70 -
    td(ON) Délai d'activation VDD=20V, RL=20W,IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W - 12.6 - ns
    tr Temps de montée à la mise sous tension - 10 -
    td(OFF) Délai d'arrêt - 23.6 -
    tf Arrêt de l'heure de chute - 6 -
    Caractéristiques de charge de grille d
    Qg Charge totale de porte VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=7A - 9.4 - nC
    Qg Charge totale de porte VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A - 20 28
    Qgth Frais de seuil - 2 -
    Qgs Charge porte-source - 3.9 -
    Qgd Charge de vidange de porte - 3 -

    Remarque c :
    Test du pouls ; largeur d'impulsion £ 300 ms, rapport cyclique £ 2%.


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