WSP4099 double canal P -40 V -6,5 A SOP-8 WINSOK MOSFET
Description générale
Le WSP4099 est un puissant MOSFET P-ch à tranchée avec une densité cellulaire élevée.Il fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille, ce qui le rend adapté à la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones.Il répond aux normes RoHS et GreenProduct et bénéficie d'une garantie 100 % EAS avec une approbation de fiabilité complète des fonctions.
Caractéristiques
La technologie de tranchée avancée avec une densité cellulaire élevée, une charge de grille ultra-faible, une excellente décroissance de l'effet CdV/dt et une garantie 100 % EAS sont autant de caractéristiques de nos appareils écologiques facilement disponibles.
Applications
Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence pour MB/NB/UMPC/VGA, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, drones, soins médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs, produits numériques , les petits appareils électroménagers et l'électronique grand public.
numéro d'article correspondant
SUR FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | -40 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu, -VGS @ -10V1 | -6,5 | A |
| ID@TC=100℃ | Courant de vidange continu, -VGS @ -10V1 | -4,5 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | -22 | A |
| EAS | Énergie d’avalanche à impulsion unique3 | 25 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche | -dix | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 2.0 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=-1mA | --- | -0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=-10V, ID=-6,5A | --- | 30 | 38 | mΩ |
| VGS=-4,5 V, ID=-4,5 A | --- | 46 | 62 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, ID=-250uA | -1,5 | -2.0 | -2,5 | V |
| △VGS(e) | Coefficient de température VGS(th) | --- | 3,72 | --- | V/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = -32 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS = -32 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 20 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=-5V, ID=-4A | --- | 8 | --- | S |
| Qg | Charge totale de porte (-4,5 V) | VDS = -20 V, VGS = -4,5 V, ID = -6,5 A. | --- | 7.5 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 2.4 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 3.5 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=20Ω | --- | 8.7 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 7 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 31 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 17 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = -15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 668 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 98 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 72 | --- |
