WSP4099 double canal P -40 V -6,5 A SOP-8 WINSOK MOSFET

brève description :

Numéro de modèle :WSP4099

BVDSS :-40V

RDSON :30 mΩ

IDENTIFIANT:-6,5A

Canal:Double canal P

Emballer:SOP-8

Produit estival :Le MOSFET WSP4099 a une tension de -40 V, un courant de -6,5 A, une résistance de 30 mΩ, un double canal P et est livré dans un boîtier SOP-8.

Applications :Cigarettes électroniques, recharge sans fil, moteurs, drones, médicaux, chargeurs automatiques, contrôleurs, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le WSP4099 est un puissant MOSFET P-ch à tranchée avec une densité cellulaire élevée. Il fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille, ce qui le rend adapté à la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones. Il répond aux normes RoHS et GreenProduct et bénéficie d'une garantie 100 % EAS avec une approbation de fiabilité complète des fonctions.

Caractéristiques

La technologie de tranchée avancée avec une densité cellulaire élevée, une charge de grille ultra-faible, une excellente décroissance de l'effet CdV/dt et une garantie 100 % EAS sont autant de caractéristiques de nos appareils écologiques facilement disponibles.

Applications

Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence pour MB/NB/UMPC/VGA, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, drones, soins médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs, produits numériques , les petits appareils électroménagers et l'électronique grand public.

numéro d'article correspondant

SUR FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.

Paramètres importants

Symbole	Paramètre	Notation	Unités
VDS	Tension drain-source	-40	V
VGS	Tension grille-source	±20	V
ID@TC=25℃	Courant de vidange continu, -VGS @ -10V1	-6,5	A
ID@TC=100℃	Courant de vidange continu, -VGS @ -10V1	-4,5	A
IDM	Courant de drain pulsé2	-22	A
EAS	Énergie d’avalanche à impulsion unique3	25	mJ
IAS	Courant d'avalanche	-10	A
PD@TC=25℃	Dissipation totale de puissance4	2.0	W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 150	℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	-55 à 150	℃

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient de température BVDSS	Référence à 25℃, ID=-1mA	---	-0,02	---	V/℃
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS=-10V, ID=-6,5A	---	30	38	mΩ
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS=-4,5 V, ID=-4,5 A	---	46	62	mΩ
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS=VDS, ID=-250uA	-1,5	-2.0	-2,5	V
△VGS(e)	Coefficient de température VGS(th)	VGS=VDS, ID=-250uA	---	3,72	---	V/℃
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = -32 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = -32 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 20 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance directe	VDS=-5V, ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Charge totale de porte (-4,5 V)	VDS = -20 V, VGS = -4,5 V, ID = -6,5 A.	---	7.5	---	nC
Qgs	Charge porte-source		---	2.4	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	3.5	---
Td(on)	Délai d'activation	VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Temps de montée		---	7	---
Td (arrêt)	Délai d'arrêt		---	31	---
Tf	Temps d'automne		---	17	---
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = -15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	668	---	pF
Coss	Capacité de sortie		---	98	---
Croix	Capacité de transfert inverse		---	72	---