WSP4447 canal P -40 V - 11 A SOP-8 WINSOK MOSFET
Description générale
Le WSP4447 est un MOSFET très performant qui utilise la technologie des tranchées et possède une densité cellulaire élevée. Il offre un excellent RDSON et une excellente charge de grille, ce qui le rend adapté à une utilisation dans la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones. Le WSP4447 répond aux normes RoHS et Green Product et bénéficie d'une garantie 100 % EAS pour une fiabilité totale.
Caractéristiques
La technologie avancée de tranchée permet une densité cellulaire plus élevée, ce qui donne lieu à un dispositif vert avec une charge de grille très faible et une excellente diminution de l'effet CdV/dt.
Applications
Convertisseur haute fréquence pour une variété d'électronique
Ce convertisseur est conçu pour alimenter efficacement une large gamme d'appareils, notamment les ordinateurs portables, les consoles de jeux, les équipements réseau, les cigarettes électroniques, les chargeurs sans fil, les moteurs, les drones, les appareils médicaux, les chargeurs de voiture, les contrôleurs, les produits numériques, les petits appareils électroménagers et les produits grand public. électronique.
numéro d'article correspondant
AOS AO4425 AO4485, SUR FDS4675, VISHAY Si4401FDY, ST STS10P4LLF6, TOSHIBA TPC8133, PANJIT PJL9421, Sinopower SM4403PSK, RUICHIPS RU40L10H.
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | -40 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V |
| ID@TA=25℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 | -11 | A |
| ID@TA=70℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 | -9.0 | A |
| IDM un | Courant de drain pulsé de 300 µs (VGS=-10 V) | -44 | A |
| EASb | Énergie d'avalanche, impulsion unique (L=0,1 mH) | 54 | mJ |
| IASb | Courant d'avalanche, impulsion unique (L=0,1 mH) | -33 | A |
| PD @ TA = 25 ℃ | Dissipation totale de puissance4 | 2.0 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=-10V, ID=-13A | --- | 13 | 16 | mΩ |
| VGS=-4,5 V, ID=-5A | --- | 18 | 26 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, ID=-250uA | -1,4 | -1,9 | -2,4 | V |
| △VGS(e) | Coefficient de température VGS(th) | --- | 5.04 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = -32 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS = -32 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 20 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 18 | --- | S |
| Qg | Charge totale de porte (-4,5 V) | VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-11A | --- | 32 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 5.2 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 8 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=-20V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=20Ω | --- | 14 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 12 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 41 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = -15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 1500 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 235 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 180 | --- |
