WSP4447 canal P -40 V - 11 A SOP-8 WINSOK MOSFET

brève description:

Numéro de modèle:WSP4447

BVDSS :-40V

RDSON :13 mΩ

IDENTIFIANT:-11A

Canal:Canal P

Emballer:SOP-8

Produit estival :La tension du MOSFET WSP4447 est de -40 V, le courant est de -11 A, la résistance est de 13 mΩ, le canal est P-Channel et le boîtier est SOP-8.

Applications:Cigarettes électroniques, chargeurs sans fil, moteurs, drones, dispositifs médicaux, chargeurs automatiques, contrôleurs, produits numériques, petits appareils électroménagers et électronique grand public.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le WSP4447 est un MOSFET très performant qui utilise la technologie des tranchées et possède une densité cellulaire élevée.Il offre un excellent RDSON et une excellente charge de grille, ce qui le rend adapté à une utilisation dans la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones.Le WSP4447 répond aux normes RoHS et Green Product et bénéficie d'une garantie 100 % EAS pour une fiabilité totale.

Caractéristiques

La technologie avancée de tranchée permet une densité cellulaire plus élevée, ce qui donne lieu à un dispositif vert avec une charge de grille très faible et une excellente diminution de l'effet CdV/dt.

Applications

Convertisseur haute fréquence pour une variété d'électronique
Ce convertisseur est conçu pour alimenter efficacement une large gamme d'appareils, notamment les ordinateurs portables, les consoles de jeux, les équipements réseau, les cigarettes électroniques, les chargeurs sans fil, les moteurs, les drones, les appareils médicaux, les chargeurs de voiture, les contrôleurs, les produits numériques, les petits appareils électroménagers et les produits grand public. électronique.

numéro d'article correspondant

AOS AO4425 AO4485, SUR FDS4675, VISHAY Si4401FDY, ST STS10P4LLF6, TOSHIBA TPC8133, PANJIT PJL9421, Sinopower SM4403PSK, RUICHIPS RU40L10H.

Paramètres importants

Symbole	Paramètre	Notation	Unités
VDS	Tension drain-source	-40	V
VGS	Tension grille-source	±20	V
ID@TA=25℃	Courant de vidange continu, VGS @ -10V1	-11	A
ID@TA=70℃	Courant de vidange continu, VGS @ -10V1	-9.0	A
IDM un	Courant de drain pulsé de 300 µs (VGS=-10 V)	-44	A
EASb	Énergie d'avalanche, impulsion unique (L=0,1 mH)	54	mJ
IASb	Courant d'avalanche, impulsion unique (L=0,1 mH)	-33	A
PD @ TA = 25 ℃	Dissipation totale de puissance4	2.0	W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 150	℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	-55 à 150	℃

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient de température BVDSS	Référence à 25℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS=-10V, ID=-13A	---	13	16	mΩ
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2					mΩ
		VGS=-4,5 V, ID=-5A	---	18	26
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS=VDS, ID=-250uA	-1,4	-1,9	-2,4	V
		VGS=VDS, ID=-250uA
△VGS(e)	Coefficient de température VGS(th)		---	5.04	---	mV/℃
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = -32 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	-1	uA
IDSS	Courant de fuite drain-source					uA
		VDS = -32 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃	---	---	-5
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 20 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance directe	VDS=-5V, ID=-10A	---	18	---	S
Qg	Charge totale de porte (-4,5 V)	VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-11A	---	32	---	nC
Qgs	Charge porte-source		---	5.2	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	8	---
Td(on)	Délai d'activation	VDD=-20V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=20Ω	---	14	---	ns
Tr	Temps de montée		---	12	---
Td (arrêt)	Délai d'arrêt		---	41	---
Tf	Temps d'automne		---	22	---
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = -15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	1500	---	pF
Coss	Capacité de sortie		---	235	---
Croix	Capacité de transfert inverse		---	180	---