WSP4888 double canal N 30 V 9,8 A SOP-8 WINSOK MOSFET

brève description :

Numéro de modèle :WSP4888

BVDSS :30V

RDSON :13,5 mΩ

IDENTIFIANT:9,8A

Canal:Double canal N

Emballer:SOP-8

Produit estival :La tension du MOSFET WSP4888 est de 30 V, le courant est de 9,8 A, la résistance est de 13,5 mΩ, le canal est à double canal N et le boîtier est SOP-8.

Applications :Cigarettes électroniques, chargeurs sans fil, moteurs, drones, soins de santé, chargeurs de voiture, commandes, appareils numériques, petits appareils électroménagers et appareils électroniques destinés aux consommateurs.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le WSP4888 est un transistor hautes performances doté d'une structure cellulaire dense, idéal pour une utilisation dans les convertisseurs abaisseurs synchrones. Il offre d'excellentes charges RDSON et de porte, ce qui en fait un excellent choix pour ces applications. De plus, le WSP4888 répond aux exigences RoHS et Green Product et est accompagné d'une garantie 100 % EAS pour un fonctionnement fiable.

Caractéristiques

La technologie Advanced Trench présente une densité cellulaire élevée et une charge de grille extrêmement faible, réduisant considérablement l'effet CdV/dt. Nos appareils bénéficient d'une garantie 100 % EAS et d'options respectueuses de l'environnement.

Nos MOSFET sont soumis à des mesures de contrôle de qualité strictes pour garantir qu'ils répondent aux normes industrielles les plus élevées. Chaque unité est minutieusement testée pour ses performances, sa durabilité et sa fiabilité, garantissant ainsi une longue durée de vie du produit. Sa conception robuste lui permet de résister à des conditions de travail extrêmes, garantissant ainsi une fonctionnalité ininterrompue de l'équipement.

Prix compétitifs : malgré leur qualité supérieure, nos MOSFET sont proposés à des prix très compétitifs, permettant des économies significatives sans compromettre les performances. Nous pensons que tous les consommateurs devraient avoir accès à des produits de haute qualité, et notre stratégie de prix reflète cet engagement.

Large compatibilité : nos MOSFET sont compatibles avec une variété de systèmes électroniques, ce qui en fait un choix polyvalent pour les fabricants et les utilisateurs finaux. Il s'intègre parfaitement aux systèmes existants, améliorant ainsi les performances globales sans nécessiter de modifications majeures de conception.

Applications

Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence pour utilisation dans les systèmes MB/NB/UMPC/VGA, systèmes d'alimentation en réseau DC-DC, commutateurs de charge, cigarettes électroniques, chargeurs sans fil, moteurs, drones, équipements médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs , produits numériques, petits appareils électroménagers et électronique grand public.

numéro d'article correspondant

AOS AO4832 AO4838 AO4914, SUR NTMS4916N, VISHAY Si4128DY, INFINEON BSO150N03MD G, Sinopower SM4803DSK, dintek DTM4926 DTM4936, ruichips RU30D10H

Paramètres importants

Symbole	Paramètre	Notation	Unités
VDS	Tension drain-source	30	V
VGS	Tension grille-source	±20	V
ID@TC=25℃	Courant de vidange continu, VGS @ 10V1	9.8	A
ID@TC=70℃	Courant de vidange continu, VGS @ 10V1	8.0	A
IDM	Courant de drain pulsé2	45	A
EAS	Énergie d’avalanche à impulsion unique3	25	mJ
IAS	Courant d'avalanche	12	A
PD @ TA = 25 ℃	Dissipation totale de puissance4	2.0	W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 150	℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	-55 à 150	℃

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient de température BVDSS	Référence à 25℃, ID=1mA	---	0,034	---	V/℃
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS = 10 V, ID = 8,5 A.	---	13.5	18	mΩ
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2					mΩ
		VGS = 4,5 V, ID = 5 A	---	18	25
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS = VDS, ID = 250 uA	1,5	1.8	2.5	V
		VGS = VDS, ID = 250 uA
△VGS(e)	Coefficient de température VGS(th)		---	-5,8	---	mV/℃
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Courant de fuite drain-source					uA
		VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃	---	---	5
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 20 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance directe	VDS=5V, ID=8A	---	9	---	S
Rg	Résistance de porte	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.8	2.9	Ω
Qg	Charge totale de porte (4,5 V)	VDS = 15 V, VGS = 4,5 V, ID = 8,8 A.	---	6	8.4	nC
Qgs	Charge porte-source		---	1,5	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	2.5	---
Td(on)	Délai d'activation	VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω ID=1A,RL=15Ω	---	7.5	9.8	ns
Tr	Temps de montée		---	9.2	19
Td (arrêt)	Délai d'arrêt		---	19	34
Tf	Temps d'automne		---	4.2	8
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	590	701	pF
Coss	Capacité de sortie		---	98	112
Croix	Capacité de transfert inverse		---	59	91