WSP4888 double canal N 30 V 9,8 A SOP-8 WINSOK MOSFET
Description générale
Le WSP4888 est un transistor hautes performances doté d'une structure cellulaire dense, idéal pour une utilisation dans les convertisseurs abaisseurs synchrones.Il offre d'excellentes charges RDSON et de porte, ce qui en fait un excellent choix pour ces applications.De plus, le WSP4888 répond aux exigences RoHS et Green Product et est accompagné d'une garantie 100 % EAS pour un fonctionnement fiable.
Caractéristiques
La technologie Advanced Trench présente une densité cellulaire élevée et une charge de grille extrêmement faible, réduisant considérablement l'effet CdV/dt.Nos appareils bénéficient d'une garantie 100 % EAS et d'options respectueuses de l'environnement.
Nos MOSFET sont soumis à des mesures de contrôle de qualité strictes pour garantir qu'ils répondent aux normes industrielles les plus élevées.Chaque unité est minutieusement testée pour ses performances, sa durabilité et sa fiabilité, garantissant ainsi une longue durée de vie du produit.Sa conception robuste lui permet de résister à des conditions de travail extrêmes, garantissant ainsi une fonctionnalité ininterrompue de l'équipement.
Prix compétitifs : malgré leur qualité supérieure, nos MOSFET sont proposés à des prix très compétitifs, ce qui permet de réaliser d'importantes économies sans compromettre les performances.Nous pensons que tous les consommateurs devraient avoir accès à des produits de haute qualité, et notre stratégie de prix reflète cet engagement.
Large compatibilité : nos MOSFET sont compatibles avec une variété de systèmes électroniques, ce qui en fait un choix polyvalent pour les fabricants et les utilisateurs finaux.Il s'intègre parfaitement aux systèmes existants, améliorant ainsi les performances globales sans nécessiter de modifications majeures de conception.
Applications
Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence pour utilisation dans les systèmes MB/NB/UMPC/VGA, systèmes d'alimentation en réseau DC-DC, commutateurs de charge, cigarettes électroniques, chargeurs sans fil, moteurs, drones, équipements médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs , produits numériques, petits appareils électroménagers et électronique grand public.
numéro d'article correspondant
AOS AO4832 AO4838 AO4914, SUR NTMS4916N, VISHAY Si4128DY, INFINEON BSO150N03MD G, Sinopower SM4803DSK, dintek DTM4926 DTM4936, ruichips RU30D10H
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 30 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 10V1 | 9.8 | A |
| ID @ TC = 70 ℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 10V1 | 8.0 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | 45 | A |
| EAS | Énergie d’avalanche à impulsion unique3 | 25 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche | 12 | A |
| PD @ TA = 25 ℃ | Dissipation totale de puissance4 | 2.0 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=1mA | --- | 0,034 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 10 V, ID = 8,5 A. | --- | 13.5 | 18 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 5 A | --- | 18 | 25 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 1,5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(e) | Coefficient de température VGS(th) | --- | -5,8 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 20 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=5V, ID=8A | --- | 9 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.8 | 2.9 | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (4,5 V) | VDS = 15 V, VGS = 4,5 V, ID = 8,8 A. | --- | 6 | 8.4 | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 1,5 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 2.5 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω ID=1A,RL=15Ω | --- | 7.5 | 9.8 | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 9.2 | 19 | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 19 | 34 | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 4.2 | 8 | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 590 | 701 | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 98 | 112 | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 59 | 91 |
