WSP6067A canal N&P 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Description générale
Les MOSFET WSP6067A sont les plus avancés en matière de technologie P-ch en tranchée, avec une très haute densité de cellules. Ils offrent d'excellentes performances en termes de RDSON et de charge de grille, adaptées à la plupart des convertisseurs abaisseurs synchrones. Ces MOSFET répondent aux critères RoHS et Green Product, avec 100 % EAS garantissant une fiabilité fonctionnelle totale.
Caractéristiques
Une technologie avancée permet la formation de tranchées cellulaires à haute densité, ce qui entraîne une charge de grille extrêmement faible et une décroissance supérieure de l'effet CdV/dt. Nos appareils bénéficient d'une garantie 100 % EAS et sont respectueux de l'environnement.
Applications
Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, drones, équipements médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs, appareils électroniques, petits appareils électroménagers et appareils électroniques grand public .
numéro d'article correspondant
AOS
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités | |
| Canal N | Canal P | |||
| VDS | Tension drain-source | 60 | -60 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 10V1 | 7.0 | -5.0 | A |
| ID@TC=100℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 10V1 | 4.0 | -2,5 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | 28 | -20 | A |
| EAS | Énergie d’avalanche à impulsion unique3 | 22 | 28 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche | 21 | -24 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 2.0 | 2.0 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=10V, ID=5A | --- | 38 | 52 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 4 A | --- | 55 | 75 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 1 | 2 | 3 | V |
| △VGS(e) | Coefficient de température VGS(th) | --- | -5.24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = 48 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS = 48 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 20 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=5V, ID=4A | --- | 28 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.8 | 4.3 | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (4,5 V) | VDS = 48 V, VGS = 4,5 V, ID = 4A | --- | 19 | 25 | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 2.6 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 4.1 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD = 30 V, VGS = 10 V, RG = 3,3 Ω, ID = 1 A | --- | 3 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 34 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 23 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 6 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 1027 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 65 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 45 | --- |
