WSP6067A canal N&P 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

brève description:

Numéro de modèle:WSP6067A

BVDSS :60V/-60V

RDSON :38 mΩ/80 mΩ

IDENTIFIANT:7A/-5A

Canal:Canal N&P

Emballer:SOP-8

Produit estival :Le MOSFET WSP6067A a une plage de tension de 60 volts positifs et négatifs, une plage de courant de 7 ampères positifs et 5 ampères négatifs, une plage de résistance de 38 milliohms et 80 milliohms, un canal N&P et est conditionné dans SOP-8.

Applications:E-cigarettes, chargeurs sans fil, moteurs, drones, soins de santé, chargeurs de voiture, commandes, appareils numériques, petits appareils électroménagers et électronique pour les consommateurs.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Les MOSFET WSP6067A sont les plus avancés en matière de technologie P-ch en tranchée, avec une très haute densité de cellules.Ils offrent d'excellentes performances en termes de RDSON et de charge de grille, adaptées à la plupart des convertisseurs abaisseurs synchrones.Ces MOSFET répondent aux critères RoHS et Green Product, avec 100 % EAS garantissant une fiabilité fonctionnelle totale.

Caractéristiques

Une technologie avancée permet la formation de tranchées cellulaires à haute densité, ce qui entraîne une charge de grille extrêmement faible et une décroissance supérieure de l'effet CdV/dt.Nos appareils bénéficient d'une garantie 100 % EAS et sont respectueux de l'environnement.

Applications

Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence, système d'alimentation réseau DC-DC, commutateur de charge, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, drones, équipements médicaux, chargeurs de voiture, contrôleurs, appareils électroniques, petits appareils électroménagers et appareils électroniques grand public .

numéro d'article correspondant

AOS

Paramètres importants

Symbole	Paramètre	Notation		Unités
Symbole	Paramètre	Canal N	Canal P	Unités
VDS	Tension drain-source	60	-60	V
VGS	Tension grille-source	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Courant de vidange continu, VGS @ 10V1	7.0	-5.0	A
ID@TC=100℃	Courant de vidange continu, VGS @ 10V1	4.0	-2,5	A
IDM	Courant de drain pulsé2	28	-20	A
EAS	Énergie d’avalanche à impulsion unique3	22	28	mJ
IAS	Courant d'avalanche	21	-24	A
PD@TC=25℃	Dissipation totale de puissance4	2.0	2.0	W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 150	-55 à 150	℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	-55 à 150	-55 à 150	℃

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient de température BVDSS	Référence à 25℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS=10V, ID=5A	---	38	52	mΩ
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS = 4,5 V, ID = 4 A	---	55	75	mΩ
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS = VDS, ID = 250 uA	1	2	3	V
△VGS(e)	Coefficient de température VGS(th)	VGS = VDS, ID = 250 uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 48 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 48 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 20 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance directe	VDS=5V, ID=4A	---	28	---	S
Rg	Résistance de porte	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Charge totale de porte (4,5 V)	VDS = 48 V, VGS = 4,5 V, ID = 4A	---	19	25	nC
Qgs	Charge porte-source		---	2.6	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	4.1	---
Td(on)	Délai d'activation	VDD = 30 V, VGS = 10 V, RG = 3,3 Ω, ID = 1 A	---	3	---	ns
Tr	Temps de montée		---	34	---
Td (arrêt)	Délai d'arrêt		---	23	---
Tf	Temps d'automne		---	6	---
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	1027	---	pF
Coss	Capacité de sortie		---	65	---
Croix	Capacité de transfert inverse		---	45	---