WSR140N12 canal N 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET
Description générale
Le WSR140N12 est le MOSFET à tranchée N-ch le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones. Le WSR140N12 répond aux exigences RoHS et Green Product, 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.
Caractéristiques
Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de grille très faible, excellent déclin de l'effet CdV/dt, garantie 100 % EAS, appareil vert disponible.
Applications
Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence, système d'alimentation en réseau DC-DC, alimentation électrique, médical, gros appareils électroménagers, BMS, etc.
numéro d'article correspondant
ST STP40NF12 etc.
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 120 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V |
| ID | Courant de vidange continu, VGS @ 10 V (TC = 25 ℃) | 140 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé | 330 | A |
| EAS | Énergie d'avalanche à impulsion unique | 400 | mJ |
| PD | Dissipation totale de puissance... C=25℃) | 192 | W |
| RθJA | Résistance thermique, jonction-ambiante | 62 | ℃/W |
| RθJC | Résistance thermique, boîtier de jonction | 0,65 | ℃/W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 120 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 10 V, ID = 30 A. | --- | 5.0 | 6.5 | mΩ |
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 2.0 | --- | 4.0 | V |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = 120 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 20 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Charge totale de porte | VDS = 50 V, VGS = 10 V, ID = 15 A. | --- | 68,9 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 18.1 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 15.9 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD = 50 V, VGS = 10 VRG = 2 Ω, ID = 25 A. | --- | 30.3 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 33,0 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 59,5 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 11.7 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 50 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 5823 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 778.3 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 17.5 | --- |
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