WSR140N12 canal N 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

brève description:

Numéro de modèle:WSR140N12

BVDSS :120V

RDSON :5 mΩ

IDENTIFIANT:140A

Canal:Canal N

Emballer:TO-220-3L

Produit estival :La tension du MOSFET WSR140N12 est de 120 V, le courant est de 140 A, la résistance est de 5 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est le TO-220-3L.

Applications:Alimentation électrique, médical, gros appareils électroménagers, BMS, etc.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le WSR140N12 est le MOSFET à tranchée N-ch le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones.Le WSR140N12 répond aux exigences RoHS et Green Product, 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.

Caractéristiques

Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de grille très faible, excellent déclin de l'effet CdV/dt, garantie 100 % EAS, appareil vert disponible.

Applications

Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence, système d'alimentation en réseau DC-DC, alimentation électrique, médical, gros appareils électroménagers, BMS, etc.

numéro d'article correspondant

ST STP40NF12 etc.

Paramètres importants

Symbole	Paramètre	Notation	Unités
VDS	Tension drain-source	120	V
VGS	Tension grille-source	±20	V
ID	Courant de vidange continu, VGS @ 10 V (TC = 25 ℃)	140	A
IDM	Courant de drain pulsé	330	A
EAS	Énergie d'avalanche à impulsion unique	400	mJ
PD	Dissipation totale de puissance... C=25℃)	192	W
RθJA	Résistance thermique, jonction-ambiante	62	℃/W
RθJC	Résistance thermique, boîtier de jonction	0,65	℃/W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 150	℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	-55 à 150	℃

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=250uA	120	---	---	V
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS = 10 V, ID = 30 A.	---	5.0	6.5	mΩ
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS = VDS, ID = 250 uA	2.0	---	4.0	V
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 120 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 20 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
Qg	Charge totale de porte	VDS = 50 V, VGS = 10 V, ID = 15 A.	---	68,9	---	nC
Qgs	Charge porte-source		---	18.1	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	15.9	---
Td(on)	Délai d'activation	VDD = 50 V, VGS = 10 VRG = 2 Ω, ID = 25 A.	---	30.3	---	ns
Tr	Temps de montée		---	33,0	---
Td (arrêt)	Délai d'arrêt		---	59,5	---
Tf	Temps d'automne		---	11.7	---
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = 50 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	5823	---	pF
Coss	Capacité de sortie		---	778.3	---
Croix	Capacité de transfert inverse		---	17.5	---