WSR200N08 canal N 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

brève description:

Numéro de modèle:WSR200N08

BVDSS :80V

RDSON :2,9 mΩ

IDENTIFIANT:200A

Canal:Canal N

Emballer:TO-220-3L

Produit estival :Le MOSFET WSR200N08 peut gérer jusqu'à 80 volts et 200 ampères avec une résistance de 2,9 milliohms.Il s'agit d'un appareil à canal N livré dans un boîtier TO-220-3L.

Applications:Cigarettes électroniques, chargeurs sans fil, moteurs, systèmes de gestion de batterie, sources d'alimentation de secours, véhicules aériens sans pilote, appareils de santé, équipements de recharge de véhicules électriques, unités de contrôle, machines d'impression 3D, appareils électroniques, petits appareils électroménagers et électronique grand public.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le WSR200N08 est le MOSFET N-Ch à tranchée le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones.Le WSR200N08 répond aux exigences RoHS et Green Product, 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.

Caractéristiques

Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de grille très faible, excellent déclin de l'effet CdV/dt, garantie 100 % EAS, appareil vert disponible.

Applications

Application de commutation, gestion de l'alimentation pour les systèmes d'onduleurs, cigarettes électroniques, chargement sans fil, moteurs, BMS, alimentations de secours, drones, médical, chargement de voiture, contrôleurs, imprimantes 3D, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public, etc.

numéro d'article correspondant

AO AOT480L, SUR FDP032N08B,ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, etc.

Paramètres importants

Caractéristiques électriques (TJ=25℃, sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Notation	Unités
VDS	Tension drain-source	80	V
VGS	Tension grille-source	±25	V
ID@TC=25℃	Courant de vidange continu, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100℃	Courant de vidange continu, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Courant de drain pulsé2,TC=25°C	790	A
EAS	Énergie d'avalanche, impulsion unique, L = 0,5 mH	1496	mJ
IAS	Courant d'avalanche, impulsion unique, L = 0,5 mH	200	A
PD@TC=25℃	Dissipation totale de puissance4	345	W
PD @ TC = 100 ℃	Dissipation totale de puissance4	173	W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 175	℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	175	℃

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient de température BVDSS	Référence à 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS = 10 V, ID = 100 A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS = VDS, ID = 250 uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(e)	Coefficient de température VGS(th)	VGS = VDS, ID = 250 uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 80 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 80 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃	---	---	10	uA
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 25 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
Rg	Résistance de porte	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Charge totale de porte (10 V)	VDS = 80 V, VGS = 10 V, ID = 30 A.	---	197	---	nC
Qgs	Charge porte-source		---	31	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	75	---
Td(on)	Délai d'activation	VDD=50V, VGS=10V,RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Temps de montée		---	18	---
Td (arrêt)	Délai d'arrêt		---	42	---
Tf	Temps d'automne		---	54	---
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	8154	---	pF
Coss	Capacité de sortie		---	1029	---
Croix	Capacité de transfert inverse		---	650	---