WST2011 double canal P-20 V-3,2 A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Description générale
Les MOSFET WST2011 sont les transistors P-ch les plus avancés disponibles, offrant une densité cellulaire inégalée.Ils offrent des performances exceptionnelles, avec un faible RDSON et une faible charge de grille, ce qui les rend idéaux pour les petites applications de commutation de puissance et de commutation de charge.De plus, le WST2011 répond aux normes RoHS et Green Product et bénéficie d'une approbation de fiabilité complète.
Caractéristiques
La technologie avancée de tranchée permet une densité cellulaire plus élevée, ce qui donne lieu à un dispositif vert avec une charge de grille très faible et une excellente diminution de l'effet CdV/dt.
Applications
La petite commutation de puissance synchrone au point de charge haute fréquence convient à une utilisation dans MB/NB/UMPC/VGA, aux systèmes d'alimentation en réseau DC-DC, aux commutateurs de charge, aux cigarettes électroniques, aux contrôleurs, aux produits numériques, aux petits appareils électroménagers et à l'électronique grand public. .
numéro d'article correspondant
SUR FDC634P, VISHAY Si3443DDV, NXP PMDT670UPE,
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités | |
| 10s | État stable | |||
| VDS | Tension drain-source | -20 | V | |
| VGS | Tension grille-source | ±12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -4,5 V1 | -3,6 | -3.2 | A |
| ID@TA=70℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -4,5 V1 | -2,6 | -2,4 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | -12 | A | |
| PD @ TA = 25 ℃ | Dissipation totale de puissance3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD @ TA = 70 ℃ | Dissipation totale de puissance3 | 1.2 | 0,9 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ | |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ | |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=-1mA | --- | -0,011 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=-4,5 V, ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2,5 V, ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, ID=-250uA | -0,5 | -1,0 | -1,5 | V |
| △VGS(e) | Coefficient de température VGS(th) | --- | 3,95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = -16 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS = -16 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 12 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=-5V, ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
| Qg | Charge totale de porte (-4,5 V) | VDS = -15 V, VGS = -4,5 V, ID = -2 A. | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=-15 V, VGS=-4,5 V, RG=3,3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 9.3 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 3.6 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = -15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 750 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 95 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 68 | --- |
