WST2078 canal N&P 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

brève description:

Numéro de modèle:WST2078

BVDSS :20V/-20V

RDSON :45 mΩ/65 mΩ

IDENTIFIANT:3,8A/-4,5A

Canal:Chaîne N&P

Emballer:SOT-23-6L

Produit estival :Le MOSFET WST2078 a des tensions nominales de 20 V et -20 V.Il peut gérer des courants de 3,8 A et -4,5 A et possède des valeurs de résistance de 45 mΩ et 65 mΩ.Le MOSFET possède à la fois des capacités de canal N&P et est livré dans un boîtier SOT-23-6L.

Applications:Cigarettes électroniques, contrôleurs, produits numériques, appareils électroménagers et électronique grand public.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le WST2078 est le meilleur MOSFET pour les petits commutateurs de puissance et les applications de charge.Il a une densité cellulaire élevée qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille.Il répond aux exigences RoHS et Green Product et a été approuvé pour sa fiabilité totale.

Caractéristiques

Technologie avancée avec tranchées à haute densité de cellules, charge de grille extrêmement faible et excellente réduction des effets Cdv/dt.Cet appareil est également respectueux de l’environnement.

Applications

La petite commutation de puissance synchrone au point de charge haute fréquence est parfaite pour une utilisation dans MB/NB/UMPC/VGA, la mise en réseau des systèmes d'alimentation DC-DC, les commutateurs de charge, les cigarettes électroniques, les contrôleurs, les produits numériques, les petits appareils électroménagers et les produits grand public. électronique.

numéro d'article correspondant

AOS AO6604 AO6608, VISHAY Si3585CDV, PANJIT PJS6601.

Paramètres importants

Symbole	Paramètre	Notation		Unités
Symbole	Paramètre	Canal N	Canal P	Unités
VDS	Tension drain-source	20	-20	V
VGS	Tension grille-source	±12	±12	V
ID @ Tc = 25 ℃	Courant de vidange continu, VGS @ 4,5 V1	3.8	-4,5	A
ID @ Tc = 70 ℃	Courant de vidange continu, VGS @ 4,5 V1	2.8	-2,6	A
IDM	Courant de drain pulsé2	20	-13	A
PD @ TA = 25 ℃	Dissipation totale de puissance3	1.4	1.4	W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 150	-55 à 150	℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	-55 à 150	-55 à 150	℃

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient de température BVDSS	Référence à 25℃, ID=1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS = 4,5 V, ID = 3 A	---	45	55	mΩ
		VGS = 2,5 V, ID = 1 A	---	60	80
		VGS = 1,8 V, ID = 1 A	---	85	120
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS = VDS, ID = 250 uA	0,5	0,7	1	V
△VGS(e)	Coefficient de température VGS(th)	VGS = VDS, ID = 250 uA	---	-2,51	---	mV/℃
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 16 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS = 16 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 8 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance directe	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Résistance de porte	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Charge totale de porte (4,5 V)	VDS=10V, VGS=10V, ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Charge porte-source		---	1,5	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	2.1	---
Td(on)	Délai d'activation	VDD = 10 V, VGEN = 4,5 V, RG = 6 Ω ID=3ARL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Temps de montée		---	13	23
Td (arrêt)	Délai d'arrêt		---	15	28
Tf	Temps d'automne		---	3	5.5
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	450	---	pF
Coss	Capacité de sortie		---	51	---
Croix	Capacité de transfert inverse		---	52	---