WST2078 canal N&P 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Description générale
Le WST2078 est le meilleur MOSFET pour les petits commutateurs de puissance et les applications de charge. Il a une densité cellulaire élevée qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille. Il répond aux exigences RoHS et Green Product et a été approuvé pour sa fiabilité totale.
Caractéristiques
Technologie avancée avec tranchées à haute densité de cellules, charge de grille extrêmement faible et excellente réduction des effets Cdv/dt. Cet appareil est également respectueux de l’environnement.
Applications
La petite commutation de puissance synchrone au point de charge haute fréquence est parfaite pour une utilisation dans MB/NB/UMPC/VGA, la mise en réseau des systèmes d'alimentation DC-DC, les commutateurs de charge, les cigarettes électroniques, les contrôleurs, les produits numériques, les petits appareils électroménagers et les produits grand public. électronique.
numéro d'article correspondant
AOS AO6604 AO6608, VISHAY Si3585CDV, PANJIT PJS6601.
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités | |
| Canal N | Canal P | |||
| VDS | Tension drain-source | 20 | -20 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±12 | ±12 | V |
| ID @ Tc = 25 ℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 4,5 V1 | 3.8 | -4,5 | A |
| ID @ Tc = 70 ℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 4,5 V1 | 2.8 | -2,6 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | 20 | -13 | A |
| PD @ TA = 25 ℃ | Dissipation totale de puissance3 | 1.4 | 1.4 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=1mA | --- | 0,024 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 4,5 V, ID = 3 A | --- | 45 | 55 | mΩ |
| VGS = 2,5 V, ID = 1 A | --- | 60 | 80 | |||
| VGS = 1,8 V, ID = 1 A | --- | 85 | 120 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 0,5 | 0,7 | 1 | V |
| △VGS(e) | Coefficient de température VGS(th) | --- | -2,51 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = 16 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS = 16 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 8 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=5V, ID=1A | --- | 8 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.5 | 3.5 | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (4,5 V) | VDS=10V, VGS=10V, ID=3A | --- | 7.8 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 1,5 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 2.1 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD = 10 V, VGEN = 4,5 V, RG = 6 Ω ID=3ARL=10Ω | --- | 2.4 | 4.3 | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 13 | 23 | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 15 | 28 | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 3 | 5.5 | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 450 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 51 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 52 | --- |
