WST2088 canal N 20 V 8,8 A SOT-23-3L WINSOK MOSFET
Description générale
Les MOSFET WST2088 sont les transistors à canal N les plus avancés du marché.Ils ont une densité cellulaire incroyablement élevée, ce qui se traduit par un excellent RDSON et une excellente charge de grille.Ces MOSFET sont parfaits pour les petites applications de commutation de puissance et de commutation de charge.Ils répondent aux exigences RoHS et Green Product et ont été entièrement testés pour leur fiabilité.
Caractéristiques
Technologie de tranchée avancée avec une densité cellulaire élevée, une charge de grille très faible et un excellent déclin de l'effet Cdv/dt, ce qui en fait un appareil vert.
Applications
Applications d'alimentation, circuits à commutation dure et haute fréquence, alimentations sans interruption, cigarettes électroniques, contrôleurs, appareils électroniques, petits appareils électroménagers et appareils électroniques grand public.
numéro d'article correspondant
AO AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214, etc.
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | 20 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±12 | V |
| ID @ Tc = 25 ℃ | Courant de drainage continu, VGS à 4,5 V | 8.8 | A |
| ID @ Tc = 70 ℃ | Courant de drainage continu, VGS à 4,5 V | 6.2 | A |
| PDI | Courant de drain pulsé | 40 | A |
| PD @ TA = 25 ℃ | Dissipation de puissance totale | 1,5 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
Caractéristiques électriques (TJ=25 ℃, sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=1mA | --- | 0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 4,5 V, ID = 6 A | --- | 8 | 13 | mΩ |
| VGS = 2,5 V, ID = 5 A | --- | dix | 19 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 0,5 | --- | 1.3 | V |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS=16V, VGS=0V. | --- | --- | 10 | uA |
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 12 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Charge totale de porte | VDS = 15 V, VGS = 4,5 V, ID = 6 A. | --- | 16 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 3 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 4.5 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDS = 10 V, VGS = 4,5 V, RG = 3,3 Ω ID = 1 A. | --- | 10 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 13 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 28 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 1400 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 170 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 135 | --- |
