WST2088A canal N 20V 7,5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

brève description :

Numéro de modèle :WST2088A

BVDSS :20V

RDSON :10,7 mΩ

IDENTIFIANT:7,5A

Canal:Canal N

Emballer:SOT-23-3L

Produit estival :La tension du MOSFET WST2088A est de 20 V, le courant est de 7,5 A, la résistance est de 10,7 mΩ, le canal est le canal N et le boîtier est SOT-23-3L.

Applications :Cigarettes électroniques, manettes, produits numériques, petit électroménager, électronique grand public, etc.

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Détail du produit

Application

Mots clés du produit

Description générale

Le WST2088A est le MOSFET à tranchée N-ch le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui fournit un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des petites applications de commutation de puissance et de commutation de charge. Le WST2088A répond aux exigences RoHS et Green Product avec une fiabilité complète approuvée.

Caractéristiques

Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire, charge de grille très faible, excellent déclin de l'effet Cdv/dt, dispositif vert disponible

Applications

Application de commutation de puissance, circuits à commutation dure et haute fréquence, alimentation sans interruption, cigarettes électroniques, contrôleurs, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public, etc.

numéro d'article correspondant

AO AO3416, SUR NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN, etc.

Paramètres importants

Caractéristiques électriques (TJ=25 ℃, sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Notation	Unités
VDS	Tension drain-source	20	V
VGS	Tension grille-source	±12	V
ID @ Tc = 25 ℃	Courant de drain continu, VGS @ 4,5 V	7.5	A
ID @ Tc = 70 ℃	Courant de drain continu, VGS @ 4,5 V	4.5	A
PDI	Courant de drain pulsé	24	A
PD @ TA = 25 ℃	Dissipation totale de puissance	1,25	W
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à 150	℃
TJ	Plage de température de jonction de fonctionnement	-55 à 150	℃

Symbole	Paramètre	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unité
BVDSS	Tension de claquage drain-source	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coefficient de température BVDSS	Référence à 25℃, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2	VGS = 4,5 V, ID = 6A	---	10.7	14	mΩ
RDS(ON)	Résistance statique drain-source2					mΩ
		VGS = 2,5 V, ID = 5 A	---	12,8	17
VGS(ème)	Tension de seuil de porte	VGS = VDS, ID = 250 uA	0,4	0,63	1.2	V
IDSS	Courant de fuite drain-source	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Courant de fuite grille-source	VGS = ± 12 V, VDS = 0 V	---	---	±100	nA
Qg	Charge totale de porte	VDS = 15 V, VGS = 4,5 V, ID = 6 A.	---	10	---	nC
Qgs	Charge porte-source		---	1.6	---
Qgd	Charge de vidange de porte		---	3.4	---
Td(on)	Délai d'activation	VDS = 10 V, VGS = 4,5 V, RG = 3,3 Ω ID = 1 A.	---	8	---	ns
Tr	Temps de montée		---	15	---
Td (arrêt)	Délai d'arrêt		---	33	---
Tf	Temps d'automne		---	13	---
Ciss	Capacité d'entrée	VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	590	---	pF
Coss	Capacité de sortie		---	125	---
Croix	Capacité de transfert inverse		---	90	---