WST4041 canal P -40 V -6 A SOT-23-3L WINSOK MOSFET
Description générale
Le WST4041 est un puissant MOSFET à canal P conçu pour être utilisé dans les convertisseurs abaisseurs synchrones. Il a une densité cellulaire élevée qui permet un excellent RDSON et une excellente charge de grille. Le WST4041 répond aux exigences des normes RoHS et Green Product, et il est accompagné d'une garantie 100 % EAS pour des performances fiables.
Caractéristiques
La technologie Advanced Trench présente une densité cellulaire élevée et une charge de grille extrêmement faible, réduisant considérablement l'effet CdV/dt. Nos appareils bénéficient d'une garantie 100 % EAS et d'options respectueuses de l'environnement.
Applications
Convertisseur abaisseur synchrone au point de charge haute fréquence, système d'alimentation en réseau DC-DC, commutateur de charge, cigarettes électroniques, contrôleurs, appareils numériques, petits appareils électroménagers et appareils électroniques grand public.
numéro d'article correspondant
AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A,dintek DTS4501,ncepower NCE40P05Y,
Paramètres importants
| Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
| VDS | Tension drain-source | -40 | V |
| VGS | Tension grille-source | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 | -6.0 | A |
| ID@TC=100℃ | Courant de vidange continu, VGS @ -10V1 | -4,5 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé2 | -24 | A |
| EAS | Énergie d’avalanche à impulsion unique3 | 12 | mJ |
| IAS | Courant d'avalanche | -7 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipation totale de puissance4 | 1.4 | W |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=-1mA | --- | -0,03 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS=-10V, ID=-3A | --- | 30 | 40 | mΩ |
| VGS=-4,5 V, ID=-1A | --- | 40 | 58 | |||
| VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, ID=-250uA | -0,8 | -1,2 | -2.2 | V |
| △VGS(e) | Coefficient de température VGS(th) | --- | 4,56 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = -28 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS = -28 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 20 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductance directe | VDS=-5V, ID=-3A | --- | 15 | --- | S |
| Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | --- | Ω |
| Qg | Charge totale de porte (-4,5 V) | VDS=-18V, VGS=-10V, ID=-4A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Charge porte-source | --- | 1.7 | --- | ||
| Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 2.0 | --- | ||
| Td(on) | Délai d'activation | VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=15Ω | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Temps de montée | --- | 10 | --- | ||
| Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 18 | --- | ||
| Tf | Temps d'automne | --- | 8 | --- | ||
| Ciss | Capacité d'entrée | VDS = -15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 420 | --- | pF |
| Coss | Capacité de sortie | --- | 77 | --- | ||
| Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 55 | --- |
